Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Chemin de
conduction
Grille métallique
Substrat
Chapitre III
FIG. III.4 – Création d’un chemin de conduction par les pièges de charge, concept de percola-
tion
doivent être maintenues les plus basses possibles par la maîtrise des étapes de fabrication, en
particulier une préparation adéquate du substrat, mais aussi par le contrôle de la pré-oxydation
[19]. Les risques de BD extrinsèques et intrinsèques des diélectriques de Grille peuvent être
réduits pour les oxydes minces (Tox < 10nm) par un processus d’empilement d’oxyde [19].
Dans ce procédé, un film d’oxyde est déposé en phase vapeur (CVD) est empilé sur l’oxyde
thermique. Les avantages de ce processus vis à vis d’un processus thermique classique sont :
• la probabilité pour que les défauts soient alignés (et donc la probabilité de formation d’un
chemin de conduction) est inférieure,
• l’oxyde contient peu de défauts provenant du substrat puisque moins de silicium y est
consommé.
(1)
Gate
SiO 2
Thick oxide
Transient dominant
Substrate
(1) traps with energy relaxation
(2) trap-assisted valence-electron
(3) Locally thinned oxide due to
conductive filament
(1)
(2)
Gate
SiO2 SiO2
Thin oxide
Steady-state
dominant
Substrate
(3)
Gate
Substrate
FIG. III.5 – Représentation schématique des mécanismes de conduction tunnel assistée par
pièges responsables du SILC.
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