Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
FIG. IV.5 – Durée de vie exprimée en fonction du courant Substrat pour différentes conditions
de fonctionnement d’un transistor NMOS de la technologie T3.
IV.1.3 Expression de la durée à l’aide du "Lucky Electron Model"
a ) Durée de vie en fonction de IBS (transistor NMOS)
Le modèle analytique appelé "modèle de l’électron chanceux" ou "Lucky Electron Model"
(LEM) [5] exprime la probabilité pour les électrons du canal de générer des défauts à l’interface
Si-SiO2 ou dans le volume de l’oxyde de Grille. Avant d’établir le lien entre ce modèle et la
durée de vie des dispositifs MOSFET, rappelons les principes du LEM. Ces auteurs ont utilisé
la relation qui lie le courant Substrat à la probabilité pour un électron de générer l’ionisation par
impact [6] :
�
IBS = C1IDS exp − φi,e
�
qλeξm
(IV.6)
Nous avons déjà défini les quantités λe, φi,e et C1 comme le libre parcours moyen, l’énergie
que doit acquérir un électron pour provoquer ionisation par impact et un paramètre faiblement
dépendante de ξm. Hu [7] a obtenu la relation liant ∆Nit au temps à partir du taux de génération
G des défauts :
184