Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
NMOS : W/L = 10/0.2µm - Stress HE
Chapitre IV
Polarisation τ − 1/VDS τ − IBS τIDS/W − IGS/IDS C m
a 1.60×10 17 s 7.37×10 15 s 1.04×10 16 s 2.63×10 08 s -2.78116
b 3.18×10 17 s 1.41×10 16 s 1.99×10 16 s 3.03×10 08 s -2.81154
c 4.36×10 16 s 2.23×10 15 s 3.12×10 15 s 2.24×10 08 s -2.71889
d 2.47×10 21 s 6.31×10 19 s 9.41×10 19 s 3.64×10 08 s -3.30494
e 1.99×10 19 s 6.55×10 17 s 9.50×10 17 s 4.71×10 08 s -3.01561
NMOS : W/L = 10/0.13µm - Stress HE
Polarisation τ − 1/VDS τ − IBS τIDS/W − IGS/IDS C m
a 7.74×10 11 s 1.68×10 13 s 2.60×10 13 s 1.33×10 08 s -2.66782
b 9.19×10 11 s 1.91×10 13 s 2.94×10 13 s 2.62×10 08 s -2.63222
c 3.24×10 11 s 6.63×10 12 s 1.02×10 13 s 1.22×10 08 s -2.61319
d 1.13×10 13 s 2.33×10 14 s 3.58×10 14 s 3.98×10 07 s -2.61811
e 5.71×10 12 s 1.22×10 14 s 1.89×10 14 s 1.27×10 07 s -2.65008
NMOS : W/L = 10/0.1µm - Stress HE
Polarisation τ − 1/VDS τ − IBS τIDS/W − IGS/IDS C m
a 3.72×10 08 s 1.09×10 09 s 9.98×10 08 s 5.19×10 08 s -2.38029
b 9.24×10 08 s 2.67×10 09 s 2.45×10 09 s 5.61×10 08 s -2.44423
c 5.76×10 08 s 1.65×10 09 s 1.51×10 09 s 1.99×10 08 s -2.48739
d 9.23×10 09 s 2.83×10 10 s 2.60×10 10 s 6.96×10 07 s -2.43222
e 6.78×10 09 s 1.91×10 10 s 1.76×10 10 s 2.05×10 07 s -2.49679
TAB. IV.8 – Durée de vie des transistors NMOS de longueur L = 0.20 − 0.13 − 0.1µm de la
technologie T3 soumis au stress HE. Signification des polarisations : a - VGS = 0.6V , VDS =
25mV ; b - VGS = VDS = 0.6V FWD ; c - VGS = VDS = 0.6V REV ; d - VGS = VDS = 1.2V
FWD ; e - VGS = VDS = 1.2V REV.
Le dernier tableau regroupe les extrapolations des durées de vie des transistors NMOS que
nous avons soumis à la condition d’injection d’électrons HE. Pour chaque représentation, la
technique d’extraction montre que la durée de vie est décroissante avec la longueur de la Grille,
mais suivant la représentation, la variation de τ suivant Leff n’est pas la même.
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