Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Chapitre III
FIG. III.16 – Mesures du courant Substrat pour les transistors PMOS de la technologie T 1.
FIG. III.17 – Mesures du courant de Grille pour les transistors PMOS de la technologie T 1.
vertical devient plus favorable à leur injection. De ce fait, les variations de IG,e suivent les va-
riations du courant Substrat IBS. Les Fig. III.17 et III.16 montrent la mesure de ces courants
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