Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
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FIG. I.33 – Détermination du pic de champ latéral.
Chapitre I
La valeur de ξsatLeff dans l’expression (I.92) de la tension de saturation doit être ajustée
pour obtenir les mêmes caractéristiques satisfaisant à l’indépendance en VGS (Fig. I.33). La va-
leur maximale du champ électrique latéral s’obtient à l’aide de la pente du graphe :
pente = −φi,e
qλeEm
(I.114)
où φi,e est l’énergie minimale nécessaire à un électron pour provoquer l’ionisation par impact,
et vaut 1.3eV [33]. Dans l’exemple de la figure I.86 on trouve ainsi une valeur du pic de champ
de 206kV/cm. Avec la même méthode on trouve pour le PMOS 119kV/cm
|Emax|(kV/cm) φi,e/h(eV ) pente
NMOS 210 1.3 -3.4
TAB. I.2 – Valeurs maximales du champ latéral pour un transistor NMOS de dimensions de
Grille W/L = 10/0.13µm et d’épaisseur d’oxyde Tox = 2.1nm.
I.4.6 Calcul de la résistance série
Nous avons négligé jusqu’à présent les résistances liées aux contacts S/D. Ces résistances
dites d’accès trouvent leurs origines au niveau :
1. des différentes métallisations et siliciures (T iSi2, CoSi2),
2. des connexions des Source et Drain,
3. de l’étalement des jonctions n + /p (p + /n),
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