Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
d’un centre par un électron. La proportion de centres occupés est donc Nitfs, et la proportion
de centres inoccupés est Nit(1 − fs). Ces quantités sont utiles pour définir les taux de capture
des trous et des électrons Γc,p et Γc,n ainsi que les taux d’émission Γe,p et Γe,n. La probabilité
de capture d’un électron qui “descend” de la bande de conduction vers la bande valence est le
produit du nombre de pièges libres par le coefficient de capture, soit :
Γc,n = cnNit(1 − fs) (II.14)
De même pour l’émission des électrons, on multiplie le coefficient d’émission par le nombre
de pièges occupés :
Γe,n = enNitfs
(II.15)
Avec un raisonnement identique pour les trous (l’émission d’un trou correspond à la capture
d’un électron, et inversement), on obtient :
c ) Expression du courant pompé ICP
Γe,p = epNit(1 − fs) (II.16)
Γc,p = cpNitfs (II.17)
Brugler et Jesper [13] observèrent les premiers ce courant et proposèrent l’expression :
ICP = fCP SeffQit + βfCP SeffCOX (VGB − Vt) (II.18)
dans laquelle Seff est la surface effective de la Grille, α représente la quantité de porteurs mi-
noritaires de la couche d’inversion qui se recombine à l’interface avec les trous du substrat lors
du passage du régime d’inversion au régime d’accumulation.
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