Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
i. Stress HH. Nous avons soumis les transistors PMOS à oxyde ultra-mince au stress HH,
qui se réalise à la condition VGS = VDS. Nous avons déterminé qu’il s’agit du pire cas de
dégradation pour ce type de dispositifs. Les résultats marquants de cette première série de stress
sont :
1. le niveau de dégradation est atteint dès la première seconde, preuve supplémentaire que
la condition HH est le pire cas de dégradation ;
2. La dégradation reste visible et mesurable même à la tension d’alimentation VDD.
La dépendance en VDS de mesure est faible pour autant que la tension de Grille vaut −0.6V .
La réduction du courant de Drain est donc ici attribuable à une réduction de la mobilité pro-
noncée. D’autre part, cette absence de différences marquées entre les régimes saturé (VDD/2) et
linéaire, nous donne une première information sur l’étendue de la dégradation , qui semble donc
s’étaler assez largement dans le canal. En augmentant les polarisations de mesure jusqu’à VDD,
la dégradation est réduite de pratiquement un facteur 10, ce qui est dû au déplacement du point
de pincement du canal vers la Source. Considérons maintenant les dégradations mesurées en
mode FWD et REV. La comparaison (Fig. III.43) des deux modes de mesures ne présente pas
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FIG. III.43 – Cinétiques de dégradation du courant de Drain mesuré en régime saturé à VGS =
VDS = VDD/2 en modes direct et inverse.
de différence, exactement comme si le dispositif avait été vieilli par une condition d’injection
uniforme. Cette similitude s’obtient quelles que soient les conditions de mesure vis à vis des
tensions de Drain et de Grille. Cette uniformité de la dégradation va pourtant à l’encontre du
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