Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
La figure I.18 représente la zone de charge d’espace induite par la courbure particulière de
l’oxyde imposée par la technique LOCOS.
W G
ZCE
FIG. I.18 – Illustration de l’épaississement de l’oxyde sur les bords (LOCOS).
I.3.2 Effet DIBL
Les résultats précédents sont obtenus pour de faibles valeurs de la tension de Drain. Si on
augmente cette dernière, la zone de charge d’espace croît davantage à la jonction Drain-Substrat.
Ceci se traduit par un abaissement de la hauteur de barrière induit par la polarisation du Drain.
Comme pour l’effet SCE on peut calculer la charge de la zone déplétée qui augmente avec VDS.
On peut exprimer VT h comme une fonction de VDS [20] :
VT h = VT − σVDS (I.77)
σ =
ɛ0ɛSi
πCOXLG
poly
SIO2
(I.78)
Le coefficient dépend de la longueur du canal, ceci apparaît bien sur la figure I.19 ou VT h est
tracé en fonction de la tension de Drain, pour différentes valeurs de Leff. Les trois effets
précédents affectent essentiellement le paramètre de tension de seuil et peuvent être rassemblés
dans une même formulation de VT h pour transistor NMOS :
34
�
VT h = VF B + 2φF + γN 2φ − VBS FS
����
SCE
+ FN(2φ − VBS)
� �� �
NCE
− σVDS
� �� �
DIBL
(I.79)