Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
les porteurs majoritaires du substrat car ils ne sont plus fournis assez rapidement. C’est alors la
composante tunnel qui prédomine (Tox < 2.5nm). On utilise un signal triangulaire, qui balaie
l’intervalle de tension comprenant la tension de bande plate et la tension de seuil, en faisant
varier la fréquence. En traçant la charge pompée en fonction de la fréquence de mesure sur une
FIG. II.14 – Mesure de pompage de charges à amplitude constante avec un signal triangulaire,
Vfb = −1V , Vt = 0.7V .
échelle logarithmique. La Fig. II.14 montre pour deux amplitudes différentes, la charge pompée
Qit par cycle de signal de grille. On constate d’une part l’augmentation du courant pompé avec
la fréquence, et d’autre part le changement de la pente avec l’amplitude du signal. On obtient
une relation linéaire dont le couple pente/origine permet de remonter à la concentration de dé-
faut à l’interface Dit ainsi qu’à la moyenne géométrique de la section efficace de capture σ. En
effet, de (II.30) on déduit :
pente = 2 ln(10)qkT SeffDit (II.39)
�
�
√ |Vt − Vfb| �
origine = −2qkT SefffCP Dit ln vT ni σpσn
trtf (II.40)
∆VG
Sur la figure II.14, pour ∆VG fixé à 6V , la mesure sur le transistor PMOS de technologie 0.5µm
et d’oxyde de Grille 12nm, donne avec la pente :
84
Dit = 7.32 10 10 eV −1 cm −2