Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
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Chapitre I
FIG. I.12 – Comparaison entre la modélisation et la mesure du courant de drain en fonction de
la tension de Drain pour différentes valeurs de la tension de Grille pour un transistor MOS à
canal N long (Weff/Leff = 10/10µm) et oxyde ultra mince Tox = 2.1nm.
FIG. I.13 – Comparaison entre la modélisation et la mesure du courant de drain en fonction de
la tension de Drain pour différentes valeurs de la tension de Grille pour un transistor MOS à
canal N court (Weff/Leff = 10/0.13µm) et oxyde ultra mince Tox = 2.1nm.
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