Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...
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tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007<br />
PMOS : W/L = 10/0.2µm - Stress HH<br />
Po<strong>la</strong>risation τ − 1/VDS τ − IBS τIDS − IBS/IDS C m<br />
Chapitre IV<br />
a 1.57×10 12 s 6.37×10 09 s 4.37×10 09 s 2.35×10 13 s -1.78902<br />
b 1.77×10 11 s 7.89×10 08 s 5.46×10 08 s 7.63×10 14 s -1.7492<br />
c 1.85×10 11 s 9.41×10 08 s 6.57×10 08 s 2.83×10 13 s -1.70221<br />
d 4.15×10 13 s 2.52×10 11 s 1.77×10 11 s 1.35×10 10 s -1.67851<br />
e 2.01×10 13 s 1.33×10 11 s 9.43×10 10 s 2.40×10 10 s -1.62815<br />
PMOS : W/L = 10/0.13µm - Stress HH<br />
Po<strong>la</strong>risation τ − 1/VDS τ − IBS τIDS − IBS/IDS C m<br />
a 2.54×10 09 s 3.86×10 07 s 4.48×10 07 s 5.65×10 13 s -1.84998<br />
b 2.83×10 09 s 3.62×10 07 s 4.21×10 07 s 1.23×10 13 s -1.92166<br />
c 6.26×10 08 s 1.24×10 07 s 1.42×10 07 s 2.31×10 12 s -1.72494<br />
d 4.34×10 11 s 7.04×10 09 s 8.15×10 09 s 1.79×10 10 s -1.82284<br />
e 2.47×10 12 s 2.51×10 10 s 2.97×10 10 s 5.34×10 12 s -2.05798<br />
PMOS : W/L = 10/0.1µm - Stress HH<br />
Po<strong>la</strong>risation τ − 1/VDS τ − IBS IBS/IDS C m<br />
a 1.16×10 09 s 7.56×10 07 s 7.76×10 07 s 8.47×10 11 s -1.63514<br />
b 5.10×10 08 s 3.56×10 07 s 3.66×10 07 s 1.53×10 10 s -1.56942<br />
c 6.72×10 08 s 4.61×10 07 s 4.72×10 07 s 1.09×10 10 s -1.5986<br />
d 1.02×10 11 s 6.64×10 09 s 6.80×10 09 s 5.46×10 09 s -1.65021<br />
e 2.93×10 11 s 1.74×10 10 s 1.79×10 10 s 7.06×10 09 s -1.68488<br />
TAB. IV.6 – Durée <strong>de</strong> vie <strong>de</strong>s transistors PMOS <strong>de</strong> longueur L = 0.20 − 0.13 − 0.1µm <strong>de</strong><br />
<strong>la</strong> technologie T3 soumis au stress HH. Signification <strong>de</strong>s po<strong>la</strong>risations : a - VGS = −0.6V ,<br />
VDS = −25mV ; b - VGS = VDS = −0.6V FWD ; c - VGS = VDS = −0.6V REV ; d -<br />
VGS = VDS = −1.2V FWD ; e - VGS = VDS = −1.2V REV.<br />
Pour ce second tableau, nous étudions <strong>la</strong> durée <strong>de</strong> vie pour le stress HH <strong>de</strong>s transistors PMOS<br />
en fonction <strong>de</strong>s modèles d’accélération. Ici <strong>la</strong> représentation τ − 1/VDS est <strong>la</strong> plus optimiste,<br />
alors que les modèles en IBS <strong>et</strong> IBS/IDS donnent <strong>de</strong>s résultats très proches pour l’ensemble <strong>de</strong>s<br />
po<strong>la</strong>risations <strong>de</strong> mesures. Seule <strong>la</strong> représentation suivant <strong>la</strong> tension <strong>de</strong> Drain semble en accord<br />
avec <strong>la</strong> longueur du canal (diminution <strong>de</strong> <strong>la</strong> durée <strong>de</strong> vie avec <strong>la</strong> longueur <strong>de</strong> Grille), les <strong>de</strong>ux<br />
autres représentations donnent <strong>de</strong>s résultats très semb<strong>la</strong>bles pour les <strong>de</strong>ux plus p<strong>et</strong>ites longueurs<br />
considérées ici.<br />
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