Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Conclusion
Chapitre I
Dans ce premier chapitre, nous avons établi les équations de base qui permettent de dé-
crire le fonctionnement des structures MOSFETs, avec et sans défauts. Ces équations servent
à développer la modélisation du comportement électrique des transistors MOSFETS (section
2). Celles-ci constituent les premiers niveaux de modélisation SPICE, et ne prennent pas en
compte les effets de la réduction d’échelle. La troisième partie de ce premier chapitre a donc
exposé les effets parasites les plus courants. Quelle que soit la complexité d’un modèle, il doit
être validé par les mesures électriques réalisées sur le composant étudié. La quatrième partie
s’est consacrée aux méthodes d’extractions des principaux paramètres de fonctionnement du
transistor. Enfin, par quelques exemples nous avons montré l’importance de l’optimisation des
modèles, imposée par les évolutions des technologies. L’ensemble de ces modèles et techniques
de caractérisations vont nous permettre d’analyser l’influence du vieillissement des transistors
MOSFETs, sur leur performances de fonctionnement statiques.
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