Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
FIG. II.5 – Décalage de la tension de seuil pendant un stress uniforme à tension constante.
500
400
300
200
100
NMOS W/L=40/0.5µm - T OX =12nm
1 2 3 4 5
FIG. II.6 – Augmentation de la tension de seuil au cours d’un stress au maximum du courant
substrat (VGS = 3.35V,VDS = 7.5V ) de 1000s sur un NMOS.
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