Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
A la vue de tous ces résultats croisés, il semble peu aisé de déterminer le moniteur le plus
adéquat. Suivant le type de stress appliqué, il existe une fourchette dans laquelle s’inscrit la
durée de vie, sa valeur dépendant alors du modèle de représentation choisi. Toutefois les moni-
teurs en 1/VDS et IBS semblent universels vis à vis de plusieurs technologies ou de plusieurs
dimensions au sein d’une même technologie. Ainsi pour étudier l’évolution de la durée de vie
avec l’épaisseur de l’isolant de Grille, on trace (Fig. IV.16) les durées de vie des NMOS des
technologies T1, T2 et T3 suivant V −1
DS . On observe que la durée de vie décroît avec la diminution
de l’épaisseur de l’oxyde. Du plus épais au plus mince on trouve : 2 × 1011s et 3.8 × 109s et 6.5 × 10 7 s. Le même type de comparaison est faisable avec le courant Substrat comme mo-
niteur, mais l’étude met en évidence une universalité des tracés de durée de vie vis-à-vis de
IBS (Fig. IV.2). Par contre au sein d’une même génération, pour des longueurs différentes, les
courants Substrat sont assez proches (Fig. IV.2). La dernière figure compare les durées de vie
des transistors NMOS de la technologie T3 de longueur L = 0.1 − 0.13 − 0.2µm soumis aux
stress IB (Fig. IV.17). Comme sur la Fig. IV.2, on observe que les transistors avec les Grilles les
plus longues (au sein d’une technologie) ont les durées de vie les plus longues.
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FIG. IV.16 – Comparaison des durées de vie en fonction de la tension de Drain des transistors
NMOS des technologies T1, T2 et T3 soumis au stress HE.
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