Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Chapitre III
• en revanche le mode IB est responsable d’un facteur d’accélération plus faible et nécessite
des tensions de Drain plus fortes, si bien que l’on atteint avec un écart de deux décades
en temps les 10% de dégradation de ∆IDsat/IDsat0.
Cette hiérarchie dans le niveau de dégradation se retrouve dans l’étude de l’influence de la
tension de Grille sur le type de mécanisme de génération de défauts. La Fig. III.42 montre le
niveau de dégradation du courant de Drain (régime linéaire) au bout de t = 4000s en fonction
de la tension de Grille pour VDS = −2V : le stress HH est bien le pire cas de polarisation. Nous
allons maintenant détailler les mécanismes qui entrent en jeu dans chacun de ces trois cas de
dégradation.
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FIG. III.42 – Influence de la tension de Grille sur la dégradation du courant de Drain (linéaire)
des transistors PMOS de la technologie T3 pour VDS = −2.5V .
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