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tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007 Thierry DI GILIO qui est un isolant. 2 FIG. 1 – Premier transistor bipolaire en germanium, 1947. FIG. 2 – Premier circuit intégré planar, 1961.
tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007 Introduction Cette idée sera reprise quelques mois plus tard par Robert NOYCE qui intégrant la technologie planar mettra au point des procédés toujours utilisés aujourd’hui pour fabriquer les circuits intégrés. Les débuts de la micro-électronique moderne coïncident avec la mise au point de la technologie Metal-Oxide-Semi-conducteur (MOS), en 1970. Cette technologie permet de fabriquer des transistors plus petits et plus rapides. Une course à la densité, à la vitesse et à la consommation commence... On parle alors de SSI (Small Scale Integration) : 30 à 80 transistors, MSI (Medium Scale Integration) , LSI (Large Scale Integration) , VLSI (Very Large Scale Integration). C’est en 1971, que la compagnie Intel produit son premier microprocesseur, le i4004, dont la puissance est équivalente à celle de l’ENIAC. Un des co-fondateurs de de cette entreprise, Gordon Moore, prévoit dès 1965 que le nombre de transistors par circuit intégré dou- blera tous les deux ans 2 . La loi est restée vérifiée jusqu’à la fin des années 1970, pour tendre vers un doublement tous les 18 mois actuellement (Fig. 3). 01 T ran s is tors P er Die 1 0 109 108 107 106 105 104 103 102 101 100 MOS Complexité des circuits intégrés 1965 A c tual Data A rra ys 1975 P roje c tion Memo ry Mic ropr oc es s or 1K 4K 4004 MOS 16K 8080 4G 1G 2G L ogic 1975 A c tual Data 256M 512M 128M 64M Itanium P entium ® 4 16M 4M P entium ® III 64K 256K 1M i486 P entium ® II P entium ® Itanium 8086 80286 S o u r ce : I n t e l i386 montecito 1960 1965 1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010 FIG. 3 – Illustration de la loi de Moore avec l’évolution du nombre de transistors dans les générations successives de processeurs Intel (http://www.intel.com). Cette croissance de la densité passe par un processus de miniaturisation des dispositifs, qui tente de maintenir les caractéristiques électriques constantes. Plusieurs façons de procéder ont 2. G. E. Moore, “Cramming more components onto integrated circuits”, Electronics, Vol 38, No 8, April 19, 1965. 3
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