Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
En second lieu, on observe que le niveau du courant substrat mesuré est nettement plus impor-
tant pour le NMOS, et ce pour des tensions accélératrices moins élevées que pour le PMOS.
Ceci est dû à la mobilité des trous plus faible que celle des électrons, ce qui entraîne une ci-
nétique suffisante pour enclencher l’ionisation par impact avec un seuil énergétique plus faible
(φi,e = 1.3eV ) que pour les trous (φi,h = 2.54eV ) [30].
FIG. III.31 – Mesure du courant Substrat en régime porteurs chauds pour plusieurs valeurs de
VDS sur les transistors NMOS et PMOS de la technologie T3.
FIG. III.32 – Mesure du courant de Grille en régime porteurs chauds pour plusieurs valeurs de
VDS sur les transistors NMOS et PMOS de la technologie T3.
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