Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
NMOS PMOS
�
IB IBS = C1IDS exp − φi,e
�
qλeξm
IG
� �
−φb,e
IGS = C4IDS exp qλeξm
IBS = C ′
�
1IDS exp − φi,h
�
qλhξm
N − ot : IG,e = C ′
�
1IDS exp − 1
�
φi,h
qξm λh
Nit : IG,h = C ′
� �
−φb,h
4IDS exp qλhξm
Chapitre IV
��
φb,e(Fox)
+ λe
TAB. IV.2 – Courants de porteurs chauds mesurés au Substrat et à la Grille, obtenus à l’aide
du LEM pour le transistor NMOS et le transistor PMOS. Dans le cas du NMOS le courant de
trous à la Grille est peu probable, pour le PMOS il faut distinguer les deux courants de trous et
électronique.
courants de porteurs chauds à la Grille et au Substrat [7, 1, 11, 10]. Les relations de durée de
vie en fonction de IGS et IBS ont pu être établies (Tab. IV.3).
Avant d’aborder la durée de vie des dispositifs soumis à des injections uniformes, examinons
la Fig. IV.10. On y a représenté les durées de vie extrapolées des transistors NMOS et PMOS
pour les trois technologies T1, T2 et T3, pour les trois cas de stress VGS ≈ VGS, VGS ≈ VDS/2,
et bas VGS.
I D /I D0
HE
FIG. IV.10 – Durées de vie extrapolées pour les NMOS et PMOS des technologies T1, T2 et T3
pour les conditions de stress VGS ≈ VGS, VGS ≈ VDS/2, et bas VGS ; le critère choisi est une
variation de 10% du courant de Drain (régime linéaire).
Pour le PMOS, tous les cas de stress donnent lieu à une durée de vie supérieure aux 10 ans
(3.15 × 10 8 s) préconisés. Le cas HH devient le pire cas dès 6.5nm, dans les structures MDD
I D /I D0
HH
195