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Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

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tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007<br />

Chapitre IV<br />

d’interface. En eff<strong>et</strong>, <strong>la</strong> pente k = φit,e/φi,e ≈ 2.84. D’autre part, le coefficient d’ionisation φi,e<br />

étant pris égal 1.3eV , on obtient dans c<strong>et</strong>te technologie une énergie critique pour les électrons<br />

φit = 3.7 à 3.8eV , ce qui correspond aux valeurs <strong>de</strong> <strong>la</strong> littérature [5, 7] pour les électrons.<br />

b ) Durée <strong>de</strong> vie en fonction <strong>de</strong> IGS (transistors NMOS)<br />

Comme nous l’avons exposé dans le chap. III, les transistors à oxy<strong>de</strong>s <strong>de</strong> Grille épais sont<br />

fortement dégradés dans les conditions <strong>de</strong> po<strong>la</strong>risation correspondant au maximum du courant<br />

<strong>de</strong> Grille électronique. Ce mécanisme d’injection engendre une charge piégée dans l’oxy<strong>de</strong><br />

∆N − ot importante [9], qui n’est pas prise en compte par <strong>la</strong> modélisation en IBS. C<strong>et</strong>te charge<br />

piégée est <strong>la</strong> conséquence <strong>de</strong> l’injection d’électrons <strong>chauds</strong> dans l’oxy<strong>de</strong>, dont <strong>la</strong> quantité est<br />

évaluée par le courant <strong>de</strong> Grille IG,e.<br />

Il parait donc commo<strong>de</strong> <strong>et</strong> réaliste <strong>de</strong> tenter <strong>de</strong> représenter <strong>la</strong> durée <strong>de</strong> vie à l’ai<strong>de</strong> du courant<br />

<strong>de</strong> Grille IGS. Toujours d’après le LEM, on peut exprimer le courant <strong>de</strong> Grille à l’ai<strong>de</strong> <strong>de</strong> <strong>la</strong><br />

probabilité qu’un électron surmonte <strong>la</strong> hauteur <strong>de</strong> <strong>la</strong> barrière <strong>de</strong> potentiel <strong>de</strong> l’interface [7]:<br />

� �<br />

−φb,e<br />

IGS = C3IDS exp<br />

qλeξm<br />

(IV.14)<br />

Nous en avons déjà parlé précé<strong>de</strong>mment (III.1.1), c<strong>et</strong>te re<strong>la</strong>tion, associée à l’expression du<br />

courant substrat (IV.6), perm<strong>et</strong> d’écrire [7] :<br />

IGS<br />

IDS<br />

= C4<br />

� �l IBS<br />

IDS<br />

(IV.15)<br />

L’exposant l est le rapport entre <strong>la</strong> hauteur <strong>de</strong> barrière (pour les électrons) <strong>et</strong> l’énergie d’io-<br />

nisation : l = φb,e(Fox)/φi,e. C4 est une constante qui a été évaluée proche <strong>de</strong> 2 × 10 −3 pour<br />

VGS > VDS [5]. Cependant, c<strong>et</strong>te constante est à déterminer expérimentalement car elle dépend<br />

<strong>de</strong> Fox <strong>et</strong> donc <strong>de</strong>s conditions VGS − VDS ou VGS/VDS. Il s’agit donc d’un paramètre dépendant<br />

<strong>de</strong> <strong>la</strong> technologie testée.<br />

On peut ainsi trouver l’expression <strong>de</strong> <strong>la</strong> durée <strong>de</strong> vie en fonction du courant <strong>de</strong> Grille en<br />

combinant (IV.12) <strong>et</strong> (IV.14). On obtient l’équation [10]:<br />

τIDS<br />

W<br />

= C5<br />

� �−u IGS<br />

IDS<br />

(IV.16)<br />

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