Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
FIG. III.62 – Caractéristiques IDS − VGS mesurées entre des alternances d’injections d’élec-
trons chauds et de trous chauds après un stress long (40000s) sur transistor NMOS de la tech-
nologie T3.
Ce résultat est nouveau et met en évidence que l’emploi des oxydes minces nitrurés font
disparaître l’influence des pièges neutres générés par les injections de trous chauds dans les
transistors NMOS [43]. Dans les oxydes épais les pièges sont neutres et peuvent être remplis
et vidés après le stress initial car ils sont situés à plusieurs nanomètres de l’interface sans effet
possible du dépiégeage. Les pièges créés dans les oxydes minces sont de nature accepteurs et
se vident très rapidement vers le substrat laissant seule l’influence des états d’interface.
On peut émettre une autre hypothèse : la disparition des pièges neutres peut s’expliquer par
la diminution du nombre de trous chauds injectés. D’autre part la nitruration des oxydes de
Grille implique une résistance plus élevée à la génération Nit. Enfin dans les oxydes minces, les
pièges se déchargent plus rapidement car ils sont à une distance tunnel de l’interface.
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