Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
NMOS : W/L = 10/0.2µm - Stress IB
Polarisation τ − 1/VDS τ − IBS τIDS − IBS/IDS C m
a 4.73×10 14 s 1.96×10 14 s 1.42×10 16 s 1.51×10 06 s -2.63049
b 2.73×10 15 s 1.04×10 15 s 9.20×10 16 s 1.57×10 06 s -2.74755
c 8.60×10 13 s 3.75×10 13 s 2.28×10 15 s 1.34×10 06 s -2.52086
d 1.14×10 17 s 4.23×10 16 s 4.19×10 18 s 2.10×10 05 s -2.82609
e 1.10×10 15 s 4.82×10 14 s 2.82×10 16 s 2.40×10 05 s -2.49702
NMOS : W/L = 10/0.13µm - Stress IB
Polarisation τ − 1/VDS τ − IBS τIDS − IBS/IDS C m
a 3.45×10 11 s 5.30×10 11 s 5.00×10 10 s 1.98×10 07 s -2.55315
b 4.20×10 11 s 6.49×10 11 s 6.29×10 10 s 3.90×10 07 s -2.51745
c 2.34×10 11 s 3.52×10 11 s 3.39×10 10 s 1.64×10 07 s -2.53727
d 8.42×10 13 s 1.27×10 14 s 9.12×10 12 s 5.18×10 07 s -2.89165
e 4.32×10 12 s 6.51×10 12 s 5.92×10 11 s 1.25×10 06 s -2.60324
NMOS : W/L = 10/0.1µm - Stress IB
Polarisation τ − 1/VDS τ − IBS τIDS − IBS/IDS C m
a 3.52×10 11 s 2.29×10 10 s 1.64×10 11 s 2.66×10 08 s -2.73316
b 4.53×10 11 s 3.10×10 10 s 2.14×10 11 s 6.43×10 08 s -2.68597
c 3.80×10 11 s 2.42×10 10 s 1.75×10 11 s 2.21×10 08 s -2.75276
d 8.99×10 13 s 5.06×10 12 s 4.06×10 13 s 5.54×10 07 s -2.92359
e 2.39×10 13 s 1.38×10 12 s 1.08×10 13 s 2.55×10 07 s -2.88156
TAB. IV.7 – Durée de vie des transistors NMOS de longueur L = 0.20 − 0.13 − 0.1µm de la
technologie T3 soumis au stress IB. Signification des polarisations : a - VGS = 0.6V , VDS =
25mV ; b - VGS = VDS = 0.6V FWD ; c - VGS = VDS = 0.6V REV ; d - VGS = VDS = 1.2V
FWD ; e - VGS = VDS = 1.2V REV.
Pour ce troisième tableau nous avons cette fois rassemblé les calculs de durée de vie des
transistors NMOS soumis aux injections de porteurs chauds dans la condition du maximum
du courant substrat. Les résultats sont globalement homogènes sur l’ensemble des longueurs et
des conditions de mesure. La durée de vie décroît logiquement avec la longueur, sauf pour la
représentation τ − IBS/IDS qui donnent aux dispositifs de 0.1µm une longévité supérieure à
ceux dont la longueur de Grille est de 0.13µm. Dans le mesure où IB est le pire cas de stress et
que Leff = 0.1µm est une longueur critique pour la technologie T3-GO1, on peut supposer que
les résultats expérimentaux présentent une marge d’erreur plus importante pour cette géométrie.
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