Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
Conclusion
Dans ce chapitre nous avons étudié les principales techniques qui permettent d’analyser le
niveau de dégradation atteint par les dispositifs MOSFETs après une contrainte électrique. Ces
méthodes ont été abordées indépendamment des mécanismes de vieillissement mis en jeu. Ainsi
nous avons vu un ensemble de méthodes dites courant-tension qui consistent à suivre au cours
du stress les variations des paramètres électriques statiques du composant, afin de déduire le
type de dommage occasionné. Dans la deuxième partie de ce chapitre, la physique du pompage
de charge a été décrite. Enfin les techniques d’extraction des paramètres (Dit,Nit,Not) relatifs à
la quantification de la dégradation ont été exposées. L’ensemble de ces outils étant maintenant
connu nous allons pouvoir nous intéresser aux mécanismes de dégradation eux-mêmes.
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