Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
FIG. IV.11 – Durée de vie en fonction de la tension de Grille des transistors à canal n et p des
technologies T1 et T3 pour le stress uniforme.
b ) Durée de vie en fonction du courant de Grille
En l’absence de champ latéral, la tension de Grille nécessaire à l’injection des porteurs dans
l’oxyde est d’autant plus importante que l’oxyde est épais. On évalue la quantité de porteurs
injectés en mesurant le courant de Grille, ou encore la densité de courant dans la Grille. La Fig.
IV.12 montre les densités de courant mesurées pour les trois épaisseurs d’oxyde 2.1nm, 6.5nm
et 12nm.
L’oxyde mince montre une forte densité de courant qui s’explique par le fait que les porteurs
ont besoin d’une faible énergie pour être injectés. Pour les autres épaisseurs d’oxyde, les ten-
sions VGS sont beaucoup plus importantes, mais les densités plus faibles , avec une pente moins
prononcée pour l’oxyde le plus épais. La densité de courant, et donc le courant de Grille, sont
donc révélateurs du mécanisme d’injection pour les stress uniformes. Ceci justifie de tracer la
durée de vie en fonction du courant de Grille, pour lequel on trouve une relation de la forme :
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τ ∝ (IGS) −m′
(IV.28)