Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Annexes B
k 2 ox(x) = 2mox
� [E − EC,ox(x)] (B.3)
Dans cette dernière expression EC,ox(x) est l’énergie dans l’oxyde à la distance x correspondant
à Ec et mox la masse effective de l’électron dans l’isolant. A l’aide de (B.2) et (B.3) on peut
écrire 3 :
D’autre part nous avons:
�
Tt(E,Et) = exp − 2
� x1 �
�
2mtEt − 2mox [E − EC,ox (x)]dx
� 0
(B.4)
EC,ox = φS + EF S − E − qFox (B.5)
x1 = φS + EF S − E
(B.6)
qFox
avec Fox le champ électrique qui règne a travers l’oxyde et φS la hauteur de la barrière vue par
les électrons de la couche d’inversion. Ceci permet d’arriver à 3 :
TF N(E,Et) = exp
�
− 4
3
(2mox) 1/2
q�
(φS + EF S − E + mt/moxEt) 3/2
Fox
�
(B.7)
Un développement de Taylor au premier ordre de TF N autour de E = EF S avec Et = 0 permet
d’intégrer simplement (B.1) 3 :
JF N = AF 2 �
oxexp − B
�
Fox
avec A =
q2 16π3�φS et B = 4
3
(2mox) 1 /2
φS
q�
(B.8)
(B.9)
(B.10)
Les valeurs de φS et de mOX peuvent être déterminées en traçant sur une échelle logarithmique
JF N/F 2 OX en fonction de 1/FOX: la pente donne B et l’intersection avec les ordonnées donne
A.
3. M. Depas, B. Vermeire, P. W. Mertens, R. L. Van Meirhaeghe, “Determination of tunneling parameters in
ultra-thin oxide layer poly-Si/SiO2/Si strutures”, Solid-states electronics, Vol 38, No 8, 1465-1471 pp, 1995.
225