Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...
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tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007<br />
Chapitre III<br />
En raisonnant en terme <strong>de</strong> <strong>de</strong>nsité <strong>de</strong> courant, nous pouvons faire apparaître les surfaces <strong>de</strong>s<br />
zones impliquées :<br />
Nous avons supposé que les courants Itun G<br />
rants tunnel direct, ce qui implique J tun<br />
G<br />
I tun<br />
G = J tun<br />
G (Ltun × Weff) (III.17)<br />
(III.18)<br />
I DT<br />
G = J DT<br />
G (Leff × Weff)) (III.19)<br />
<strong>et</strong> IDT<br />
G<br />
sont <strong>de</strong> même nature, c’est à dire <strong>de</strong>s cou-<br />
DT = J . Le rapport <strong>de</strong> (III.17) <strong>et</strong> (III.19) se ramène<br />
G<br />
donc simplement au rapport <strong>de</strong> leur surface d’injection : LtunWeff/LeffWeff. Nous pouvons<br />
finalement exprimer <strong>la</strong> re<strong>la</strong>tion entre les <strong>de</strong>ux courants tunnels:<br />
V S<br />
I HH<br />
G<br />
I DT<br />
G<br />
P+ poly-Si<br />
SiO 2<br />
SiO 2<br />
= Ltun<br />
Leff<br />
1<br />
1 − α<br />
V G = V D<br />
L tun Linj L Leff eff<br />
V B<br />
Zones dégradées<br />
V D<br />
N-Well<br />
(III.20)<br />
FIG. III.50 – Illustration <strong>de</strong> <strong>la</strong> représentation <strong>de</strong>s courants <strong>de</strong> trous injectés dans <strong>la</strong> Grille<br />
durant les stress HH.<br />
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