Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...
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tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007<br />
Grille<br />
Source Drain<br />
Source<br />
FWD<br />
Grille<br />
REV<br />
Drain<br />
Chapitre II<br />
FIG. II.4 – Illustration du phénomène d’écrantage pour <strong>la</strong> caractérisation en régime saturé en<br />
présence <strong>de</strong> dégradations localisées.<br />
II.1.2 Variation <strong>de</strong> <strong>la</strong> tension <strong>de</strong> seuil<br />
La tension <strong>de</strong> seuil est un paramètre essentiel pour le bon fonctionnement <strong>de</strong>s circuits di-<br />
gitaux. Comme nous l’avons vu dans le premier chapitre, elle dépend <strong>de</strong> <strong>la</strong> longueur du canal<br />
au sein d’une technologie, <strong>et</strong> perm<strong>et</strong> l’extraction d’autres paramètres (dimensions effectives,<br />
résistances séries, facteur <strong>de</strong> réduction <strong>de</strong> mobilité). Rappelons les équations établies dans le<br />
premier chapitre (I.4.6):<br />
VT h = VF B + 2φF + γ (−VBS + 2φF ) 1/2 − Qit0<br />
VF B = φMS − Qot<br />
avec γ ≈ √ 2ɛsiqNB/Cox <strong>et</strong> φF = kT<br />
q ln<br />
décrites par :<br />
COX<br />
�<br />
NB<br />
ni<br />
COX<br />
(II.3)<br />
(II.4)<br />
�<br />
, les variations <strong>de</strong> <strong>la</strong> tension <strong>de</strong> seuil sont alors<br />
∆VT h = − ∆Qit(2φf) + ∆Qot<br />
avec ∆Qot <strong>et</strong> ∆Qit sont les variations <strong>de</strong> <strong>la</strong> charge dans l’oxy<strong>de</strong> <strong>et</strong> à l’interface, données par :<br />
Cox<br />
(II.5)<br />
∆Qot = ±q∆Not (II.6)<br />
∆Qit = ±q∆Dit(ψS − φB) = ±q∆Dit.φF (II.7)<br />
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