Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Symbole Unité Définition
n0 cm −3 Concentration d’électrons dans le Silicium loin de l’interface.
p0 cm −3 Concentration de trous dans le Silicium loin de l’interface.
n(y) cm −3 Concentration d’électrons dans le Silicium à la distance y de l’interface.
p(y) cm −3 Concentration de trous dans le Silicium à la distance y de l’interface.
ni cm −3 Concentration intrinsèque d’électrons dans le Silicium.
q C Valeur relative de la charge électronique (1.6 × 10 −19 ).
φF V Potentiel du substrat dû au dopage du Silicium.
φms V différence des travaux de sortie ente métal et semi-conducteur (φm − φs).
ψS V Potentiel à l’interface Si-SiO2.
ψ(y) V Potentiel dans le silicium à la distance y de l’interface.
k J.K −1 Constante de Boltzmann (1,3806503 × 10 23 )
eV.K −1 (8,61738 × 10 −5 ).
β eV q/kT .
Ec eV Niveau d’énergie de la bande de conduction loin de l’interface.
Ev eV Niveau d’énergie de la bande de valence loin de l’interface.
EF eV Niveau d’énergie pour le niveau de Fermi.
Ei eV Niveau d’énergie intrinsèque, milieu de Ec et Ev loin de l’interface.
Ecs eV Niveau d’énergie de la bande de conduction à l’interface.
Evs eV Niveau d’énergie de la bande de valence à l’interface.
Eis eV Niveau d’énergie intrinsèque, milieu de Ecs et Evs à l’interface.
VDS V Tension appliquée au Drain avec la Source référence des potentiels.
VF B V Tension de bande plate.
VDSat V Valeur de saturation de la tension de Drain avec la Source référence
des potentiels.
VGS V Tension appliquée à la Grille avec la Source référence des potentiels.
VBS V Tension appliquée au Substrat avec la Source référence des potentiels.
VOX V Différence de potentiel au bornes de l’isolant de Grille.
VDD V Tension d’alimentation nominale pour la technologie considérée.
IDS A Courant mesuré au Drain avec la Source référence des potentiels.
IDSat A Courant de Drain saturé avec la Source référence des potentiels.
IGS A Courant mesuré à la Grille avec la Source référence des potentiels.
IBS A Courant mesuré au Substrat avec la Source référence des potentiels.
VT h V Tension de seuil des transistors MOSFETs.
Weff cm Largeur effective de la Grille (inférieure à la largeur dessinée).
Leff cm Longueur effective de la Grille (inférieure à la longueur dessinée).
Tox cm Epaisseur de l’oxyde de Grille.
TAB. 1 – Définitions des symboles et notations employés dans ce manuscrit.