Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
ce qui nous permet d’arriver à la relation usuelle [7, 8] :
τIDS
W
= C ′
3
� �−k IBS
IDS
(IV.13)
La constante C ′
3 contient la constante C2 et la quantité ∆Nit à la puissance 1/p. (IV.13) est exprimée
en fonction des paramètres physiques des réactions de dégradation : k est le rapport des
termes dans les exponentielles de (IV.3) et (IV.5), c’est à dire le rapport des énergies nécessaires
pour générer un état d’interface d’une part, et nécessaire à un électron pour générer l’ionisation
par impact d’autre part. φit,e, représente la somme de la hauteur de barrière pour les électrons et
de l’énergie de la liaison ≡Si-H (modèle standard pour la génération des états d’interface [7]),
égale à 0.3eV .
FIG. IV.6 – Durée de vie des transistors NMOS de la technologie T2 exprimée à partir de la
modélisation déduite du LEM, pour les stress IB.
Sur la Fig. IV.6 nous avons tracé les durées de vie des dispositifs à canal n de la technolo-
gie T2 soumis au stress IB (cas standard). Nous avons utilisé le paramètre ∆ID/ID0 avec un
critère standard de 10% pour les modes linéaire et saturé (VDD/2, VDD/2). Pour ce mécanisme
d’injection on trouve la même pente k = 2.9 à 3.1. Ceci nous permet d’affirmer que dans les
deux cas, ce sont les électrons qui sont injectés et qui sont responsables de la génération d’états
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