Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
de mesure. Les modes direct et inverse ne présentent que très peu de différence, confirmant
l’étalement prononcé de la dégradation le long du canal. L’influence de la tension de Drain a un
comportement en cloche : à faible VDS le courant de Drain est moins dégradé qu’à VDD/2, et
pour VDD la diminution du courant de Drain est la plus faible.
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FIG. III.47 – Variation relative du courant de Drain durant un stress au maximum du courant
Substrat mesurée en régime linéaire pour VDS = −25mV et VGS = −0.6V .
iii. Stress VG-. Nous avons étudié l’impact de l’injection uniforme de trous à travers l’oxyde
sur une gamme de tensions de Grille comprise entre −1.6V à −2.25V . La Fig. III.48 montre
pour la tension de stress VGS = −2.25V que l’on atteint un niveau de dégradation supérieur à
celui rencontré dans le NMOS à des tensions plus élevées. Il faut noter que le transistor PMOS
n’a pas montré la même endurance que le NMOS vis à vis du stress uniforme : le claquage de
l’oxyde intervient plus tôt que pour le NMOS, si bien qu’il ne nous a pas été possible de stresser
les PMOS au delà de −2.8V , montrant une plus forte efficacité des trous à générer les défauts.
Les 10% de réduction de |IDS| sont atteints en 40000s. Les régimes linéaire et saturé mesurés à
VGS = −0.6V donnent les mêmes cinétiques, ce qui implique une forte réduction de mobilité.
Logiquement, les mesures FWD et REV ne présentent pas de différence notable. En effet, l’in-
jection est uniforme dans le cas VG-, et donc la dégradation également. Lorsque l’extension de
la ZCE est maximale, lors de la mesure le courant semble moins réduit, à cause du phénomène
d’écrantage d’une partie des défauts.
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