Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
sat sat
Chapitre IV
FIG. IV.3 – Illustration du relevé des temps nécessaires pour atteindre le critère de 10%, le
paramètre est dans cet exemple le courant saturé à VGS = VDS = VDD/2 FWD.
ΔI Dsat/I Dsat0
V GS=V DS=V DD/2
FIG. IV.4 – Durée de vie des transistors NMOS de la technologie T1 soumis à des injections de
porteurs chauds au maximum du courant Substrat, extrapolée pour le mode de fonctionnement
saturé (VDD/2,VDD/2) (FWD) en fonction du courant Substrat.
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