Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
En négligeant αθVDS/2 devant 1, on arrive a :
gm =
K
(1 + θ(VGS − VT h)) 2
(I.106)
FIG. I.31 – Extraction de µP et θP avec le modèle de réduction de mobilité à un coefficient.
Il est à noter que si α n’est pas encore connu, on pourra prendre α ≈ 1 , ce qui introduit
une erreur de seulement quelques pour cent. Il suffit de tracer g −1/2
m en fonction de (VGS −
VT h)(figure I.31). Ce graphe permet d’extraire la mobilité µp en champ faible, et le coefficient
de réduction de mobilité θ. Pour un transistor à canal P de dimension WG = 10µm et Leff =
0.13µm, on trouve µP 0 = 117cm 2 V −1 s −1 et θP = 0.75V −1
I.4.4 Détermination des dimensions effectives du canal
Il existe systématiquement une différence entre les dimensions dessinées sur le masque de
gravure et la taille réelle du canal. Ces variations sont dues aux procédés de fabrication, et
sont donc identiques pour l’ensemble des dispositifs élaborés avec la même technologie. La
différence ∆LG sur la longueur électrique du canal est la conséquence à la fois du phénomène
de surgravure et de la diffusion latérale des dopants des zones Source/Drain. Quand à ∆WG il
découle de la surgravure et du type d’isolation latérale (LOCOS ou STI).
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