Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Thierry DI GILIO
FIG. III.44 – Mesures de pompage de charges au cours d’un stress HH à VDS = −2V sur un
transistor PMOS de la technologie T4.
V Ghaut=0.8V
f CP =500kHz
FIG. III.45 – Différence dans les dérivées des courbes ICP obtenues pendant le stress HH sur
un transistor PMOS de la technologie T4.
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