Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Symbole Unité Définition
φb,h eV Hauteur de barrière tunnel pour les trous.
φb,e eV Hauteur de barrière tunnel pour les électrons.
φi,h eV Coefficient d’ionisation pour les trous.
φi,e eV Coefficient d’ionisation pour les électrons.
φit,h eV Énergie nécessaire à un trou pour générer un état d’interface.
φit,e eV Énergie nécessaire à un électron pour générer un état d’interface.
λe,h nm Libre parcours moyen des électrons/trous.
τ s Durée de vie des transistor MOSFETs.
XJ cm Profondeur des jonctions de Drain et de Source.
ND/A cm −3 Densité de dopants (Donneur/Accepteur).
COX F.cm −2 Capacité de l’oxyde de Grille.
Csc F.cm −2 Capacité du semi-conducteur (Silicium).
QOX C.m −2 Charge dans l’oxyde de Grille.
Qsc C.m −2 Charge dans le semi-conducteur (Silicium).
Qit C.m −2 Charge piégée sur les états d’interface.
Qot C.m −2 Charge piégée dans l’oxyde.
Qm C.m −2 Charge mobile dans l’oxyde.
Nit cm −2 Nombre de charges piégées à l’interface.
Nm cm −2 Nombre de charges mobiles dans l’oxyde.
Dit eV −1 .cm −2 Nombre de charges piégées à l’interface par niveau d’énergie.
ξ,ξm V.cm −1 Champ électrique latéral dans le canal.
Fox V.cm −1 Champ électrique à travers l’oxyde.
J A.cm −2 Densité de courant (J=Courant/Surface).
ɛ0 F.cm −1 Permittivité électrique du vide (8.84 × 10 −14 ).
ɛox s.u. Permittivité relative de l’oxyde (SiO2).
ɛSi s.u. Permittivité relative du Silicium.
µ0 V.cm −1 .s −1 Mobilité des porteurs en champ nul.
µeff V.cm −1 .s −1 Mobilité effective des porteurs.
RSD Ω Somme des Résistances séries à la Source et au Drain.
RCanal Ω Résistance électrique du canal.
Gm S ou Ω −1 Transconductance (dIDS/dVGS).
σn/p cm −2 Section efficace de capture d’électron/trous.
cn/p cm −3 .s −1 Coefficient de capture d’électron/trou d’un piège.
en/p cm −3 .s −1 Coefficient d’émission d’électron/trou d’un piège.
vT cm.s −1 Vitesse thermique des porteurs (1/2mv 2 T
= 3/2kT )
m ∗ n,p kg Masse effective des électrons/trou dans le milieu considéré.
TAB. 2 – Définitions des symboles et notations employés dans ce manuscrit (suite).