Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
Chapitre III
Avant de rentrer dans le détail des stress, notons que la finesse des oxydes de T3 et T4,
implique un courant tunnel en mode direct et non plus en mode Fowler Nordheim. Ceci im-
plique que les porteurs peuvent franchir la barrière sans avoir préalablement acquis une énergie
cinétique importante. On peut en effet mesurer un courant de Grille significatif avec VDS = 0V
(pas d’accélération) comme le montre la Fig. III.33. On peut y observer un courant substrat en
l’absence de champ latéral, qui traduit une seconde composante dans le courant DT. Ces dif-
férentes composantes du courant tunnel direct sont illustrées sur le schéma de la Fig. III.34. A
bas VGS, dans les PMOS, des trous provenant de la bande de valence du canal en inversion (CI)
sont injectés vers la grille (HVB). Pour des tensions de grille intermédiaires et supérieures, ce
sont les électrons de la bande de valence qui sont injectés de la grille dans le substrat (EVB).
Dans les NMOS soumis à de faibles VGS, on observe un courant d’électrons du CI vers la Grille
(ECB), puis, pour des tensions de Grille plus importantes, on observe l’apparition d’un courant
d’électrons de la bande de valence (EVB) qui se traduit par un courant de trous dans le substrat.
FIG. III.33 – Mesure des courants de Grille et Substrat en l’absence de tension de Drain pour
les transistors NMOS et PMOS pour la technologie T1.
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