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Wechselwirkungen sehr langsamer hochgeladener Ionen mit einer ...

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104 5. Die Argon–Spektren<br />

tan nachgeliefert werden können. Deswegen lassen wir den Anfangszustand<br />

im Rahmen der Cowan–Code–Simulation wieder in ein neutrales Teilchen<br />

übergehen.<br />

Zunächst schätzen wir so eine obere Grenze für die auftretenden Energien<br />

ab. Offensichtlich entsteht sie aus einem Übergang nach 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 ,<br />

welcher ein Elektron <strong>mit</strong> E = 248eV freisetzt. Zieht man davon noch zweimal<br />

die Austrittsarbeit 6 W = 4, 6eV der Si(111)–Oberfläche ab, so kommt<br />

man auf 238,8eV. Dieser Wert stimmt trotz der gemachten Vereinfachungen<br />

überraschend gut <strong>mit</strong> der energetischen Position der rechten Stufenkante bei<br />

ca. 235eV überein.<br />

5.4 Präparationsabhängigkeit der Spektren<br />

In einigen Ar 9+ –Meßserien wurde auf eine vorhergehende frische Präparation<br />

der Oberfläche verzichtet (s. Kap.3.6). Mittels <strong>sehr</strong> oberflächensensitiver<br />

AES-Messungen (s. Kap.3.4) konnte in diesen Fällen eine Bedeckung der<br />

Kristalloberfläche <strong>mit</strong> Kohlenstoff, Stickstoff und Sauerstoff nachgewiesen<br />

werden. Eine gezielte Verunreinigung <strong>mit</strong> Sauerstoff wurde durch Aufnahme<br />

von O q+ –Serien zwischen den Ar 9+ –Spektren herbeigeführt. Es zeigten<br />

sich teilweise <strong>sehr</strong> ausgeprägte Abhängigkeiten, welche allerdings wegen ihrer<br />

Komplexität nur schwer in ein theoretisches Modell einzubauen sind. Zudem<br />

konnten diese Effekte aus Zeitgründen im Experiment nur vereinzelt systematisch<br />

dokumentiert werden. Die Daten werden aus diesem Grund hier nur<br />

qualitativ im Rahmen des in diesem Kapitel vorgestellten Modells diskutiert.<br />

6 Die Austrittsarbeit bezieht sich auf das Fermi–Niveau an der Kristallsoberfläche, welches<br />

sich bei p–Halbleitern etwas unterhalb der Mitte der ≪verbotenen Zone≫ befindet.<br />

Nimmt man an, daß sich die dem Ion übertragenen Elektronen aus dem die mobilen<br />

Elektronen führenden Valenzband schöpfen, so sollte man statt der Austrittsarbeit W die<br />

Differenz von der Oberkante des Valenzbandes und dem Vakuumlevel benutzen. Diese liegt<br />

etwa um den Betrag eines halben Bandgaps, also 0,6eV unterhalb der Fermi–Energie.

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