Wechselwirkungen sehr langsamer hochgeladener Ionen mit einer ...

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138 7. Simulation der Kristallschädigung Die Summe aus Leerstellen und Ersetzungen ergibt die Anzahl der Gitterveränderungen. 7.2 Simulationsergebnisse In den drei Diagrammen von Abb.7.3 sind die Simulationsergebnisse zusammengestellt. Bei senkrechtem Strahleinfall wächst die longitudinale und radiale Implantationstiefe mit der Einschußenergie. Die vertikalen Balken geben die Aufstreuung in der Implantationstiefe, den sogenannten Straggle an. Für Sputterprozesse verwendete man früher typischerweise Energien im Bereich einiger 10keV; heutzutage hat man leistungsfähigere Ionenquellen mit sehr hohen Teilchenströmen zur Verfügung, so daß man mit kleineren Einschußenergien von 500eV bis 1000eV auf schonendere Weise sputtern kann. Unsere Experimente mit hochgeladenen Ionen spielen sich im Bereich unterhalb von 50eV ab. Bei diesen kinetischen Energien finden kaum noch Kristallschädigungen in Form von Gitterleerstellen und Ersetzungen statt, da die Einfallsenergie von vergleichbarer Größe wie Edisp � 15eV ist. Allerdings werden die Ionen massiv in die ersten Kristallagen implantiert. 7.3 Ausblick auf technologische Anwendungen Die von TRIM ebenfalls berechnete Sputterausbeute und der Anteil reflektierter Teilchen sind nicht auf den Fall langsamer, hochgeladener Ionen übertragbar. Hier kommt den in Kap.2 beschriebenen elektronischen Übergängen zwischen dem Ion und den Festkörperniveaus eine wichtige Bedeutung zu. Dazu vergegenwärtige man sich, daß bei der Reneutralisation des Ions vor der Oberfläche Elektronentransferraten (zwischen den Rydbergniveaus und dem Valenzband) oberhalb von 10 15 sec −1 auftreten. Das nackte Ion wirkt dabei wie ein ≪Elektronenstaubsauger≫, welcher die Leitungs– bzw. Valenzbandelektronen aus den obersten Kristallschichten in seine Rydbergzustände abzieht.
7.3. Ausblick auf technologische Anwendungen 139 Abbildung 7.3: Simulation der Kristallschädigung von Ar 1+ in Silizium Die longitudinale und radiale Reichweite und Straggle (vertikale Balken) der Ionen und die durch Stöße verursachten Gitterleerstellen pro Ion sind als Funktion der Einschußenergie bei senkrechtem Einfall aufgetragen.
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Wechselwirkungen sehr langsamer hoc
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Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung 9 2
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INHALTSVERZEICHNIS 5 4.1.1 Programm
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INHALTSVERZEICHNIS 7 B.3 Reduktion
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Kapitel 1 Einleitung Die ersten Arb
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Kapitel 2 Fundamentale Wechselwirku
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2.2. Potentialverhältnisse 13 Ladu
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2.2. Potentialverhältnisse 15 2.2.
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2.2. Potentialverhältnisse 17 best
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2.2. Potentialverhältnisse 19 Abbi
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2.3. Zeitskalen 21 Abbildung 2.5: M
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2.4. Auger-Übergänge 23 größer
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2.4. Auger-Übergänge 25 Abbildung
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2.5. Elektronentransferprozesse 27
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2.6. Die Screening Dynamics 29 nen
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2.7. Strahlungsübergänge 31 10˚A
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2.8. Wechselwirkungen im Kristall 3
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2.8. Wechselwirkungen im Kristall 3
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Kapitel 3 Der experimentelle Aufbau
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3.1. Die EZR-Ionenquelle 39 Ringe a
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3.1. Die EZR-Ionenquelle 41 Die Gyr
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3.2. Das Strahltransportsystem 43 3
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3.2. Das Strahltransportsystem 45 A
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3.3. Die Abbremsoptik 47 Abbildung
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3.3. Die Abbremsoptik 49 Die letzte
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3.4. Das Auger-Elektronen-Spektrome
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3.4. Das Auger-Elektronen-Spektrome
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3.5. Das Ionenspektrometer 55 3.5 D
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3.5. Das Ionenspektrometer 57 Abbil
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3.5. Das Ionenspektrometer 59 Abbil
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3.5. Das Ionenspektrometer 61 dem S
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3.6. Targetpräparation 63 nur Adso
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3.7. Augerelektronenspektroskopie 6
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3.8. Die UHV-Kammer 67 Abb.3.19 und
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3.8. Die UHV-Kammer 69 Abbildung 3.
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3.8. Die UHV-Kammer 71 wa einen Tag
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3.9. Computeransteuerung und Meßwe
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3.9. Computeransteuerung und Meßwe
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Kapitel 4 Simulation der Autoionisa
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4.1. Der COWAN-Code 79 gurationen v
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4.2. Fehlerquellen 81 Die Raten Γ
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Kapitel 5 Die Argon-Spektren Von be
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5.1. Der LMM-Peak 85 ren 1 . Erst d
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Seite 93 und 94: 5.2. Der MXY-Buckel 93 werden könn
Seite 95 und 96: 5.2. Der MXY-Buckel 95 gestreckten
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Seite 105 und 106: 5.4. Präparationsabhängigkeit der
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Seite 109 und 110: 5.5. Zusammenfassung und Schlußfol
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Seite 113 und 114: 6.1. Die hochenergetischen Peaks 11
Seite 127 und 128: 6.2. Die LXY-Struktur 127 Abbildung
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Seite 135 und 136: 7.1. Der TRIM-Code 135 Abbildung 7.
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Seite 147 und 148: B.3. Reduktion der Dimension von Ai
Seite 153 und 154: Anhang C AUGER-Meßprogrammcode #in
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Seite 157 und 158: flushall (); /* clearing all input
Seite 159 und 160: mean = ctre[i] / runs; sigma = sqrt
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Seite 165 und 166: Literaturverzeichnis [1] R.P. Adam:
Seite 167 und 168: LITERATURVERZEICHNIS 167 [20] R. D
Seite 169 und 170: LITERATURVERZEICHNIS 169 [43] Chris
Seite 171: Erklärung Ich erkläre, daß ich d
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