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104 5. Die Argon–Spektren tan nachgeliefert werden können. Deswegen lassen wir den Anfangszustand im Rahmen der Cowan–Code–Simulation wieder in ein neutrales Teilchen übergehen. Zunächst schätzen wir so eine obere Grenze für die auftretenden Energien ab. Offensichtlich entsteht sie aus einem Übergang nach 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 , welcher ein Elektron mit E = 248eV freisetzt. Zieht man davon noch zweimal die Austrittsarbeit 6 W = 4, 6eV der Si(111)–Oberfläche ab, so kommt man auf 238,8eV. Dieser Wert stimmt trotz der gemachten Vereinfachungen überraschend gut mit der energetischen Position der rechten Stufenkante bei ca. 235eV überein. 5.4 Präparationsabhängigkeit der Spektren In einigen Ar 9+ –Meßserien wurde auf eine vorhergehende frische Präparation der Oberfläche verzichtet (s. Kap.3.6). Mittels sehr oberflächensensitiver AES-Messungen (s. Kap.3.4) konnte in diesen Fällen eine Bedeckung der Kristalloberfläche mit Kohlenstoff, Stickstoff und Sauerstoff nachgewiesen werden. Eine gezielte Verunreinigung mit Sauerstoff wurde durch Aufnahme von O q+ –Serien zwischen den Ar 9+ –Spektren herbeigeführt. Es zeigten sich teilweise sehr ausgeprägte Abhängigkeiten, welche allerdings wegen ihrer Komplexität nur schwer in ein theoretisches Modell einzubauen sind. Zudem konnten diese Effekte aus Zeitgründen im Experiment nur vereinzelt systematisch dokumentiert werden. Die Daten werden aus diesem Grund hier nur qualitativ im Rahmen des in diesem Kapitel vorgestellten Modells diskutiert. 6 Die Austrittsarbeit bezieht sich auf das Fermi–Niveau an der Kristallsoberfläche, welches sich bei p–Halbleitern etwas unterhalb der Mitte der ≪verbotenen Zone≫ befindet. Nimmt man an, daß sich die dem Ion übertragenen Elektronen aus dem die mobilen Elektronen führenden Valenzband schöpfen, so sollte man statt der Austrittsarbeit W die Differenz von der Oberkante des Valenzbandes und dem Vakuumlevel benutzen. Diese liegt etwa um den Betrag eines halben Bandgaps, also 0,6eV unterhalb der Fermi–Energie.
5.4. Präparationsabhängigkeit der Spektren 105 Abbildung 5.10: Ar 9+ –Spektren unter Θ = 92 ◦ bei UQ = 0V mit zunehmender Sauerstoffbelegung der Siliziumoberfläche Alle Spektren sind auf ihr Maximum normiert. Innerhalb dieser über einen Zeitraum von drei Tagen gemessenen Serie nimmt die Höhe des 60eV–Peaks mit wachsender Sauerstoffexposition der Oberfläche zu. Während der Meßperiode erfolgte keine weitere Targetpräparation.
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Wechselwirkungen sehr langsamer hoc
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Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung 9 2
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INHALTSVERZEICHNIS 5 4.1.1 Programm
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INHALTSVERZEICHNIS 7 B.3 Reduktion
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Kapitel 1 Einleitung Die ersten Arb
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Kapitel 2 Fundamentale Wechselwirku
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2.2. Potentialverhältnisse 13 Ladu
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2.2. Potentialverhältnisse 15 2.2.
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2.2. Potentialverhältnisse 17 best
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2.2. Potentialverhältnisse 19 Abbi
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2.3. Zeitskalen 21 Abbildung 2.5: M
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2.4. Auger-Übergänge 23 größer
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2.4. Auger-Übergänge 25 Abbildung
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2.5. Elektronentransferprozesse 27
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2.6. Die Screening Dynamics 29 nen
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2.7. Strahlungsübergänge 31 10˚A
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2.8. Wechselwirkungen im Kristall 3
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2.8. Wechselwirkungen im Kristall 3
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Kapitel 3 Der experimentelle Aufbau
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3.1. Die EZR-Ionenquelle 39 Ringe a
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3.1. Die EZR-Ionenquelle 41 Die Gyr
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3.2. Das Strahltransportsystem 43 3
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3.2. Das Strahltransportsystem 45 A
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3.3. Die Abbremsoptik 47 Abbildung
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3.3. Die Abbremsoptik 49 Die letzte
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3.4. Das Auger-Elektronen-Spektrome
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scanf ("%d", &value); } while ((val
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flushall (); /* clearing all input
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mean = ctre[i] / runs; sigma = sqrt
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printf ("Setting BG1 to continuous
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printf ("SoftwareInit\n\n"); if (er
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Literaturverzeichnis [1] R.P. Adam:
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LITERATURVERZEICHNIS 167 [20] R. D
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LITERATURVERZEICHNIS 169 [43] Chris
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Erklärung Ich erkläre, daß ich d
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