Wechselwirkungen sehr langsamer hochgeladener Ionen mit einer ...

118 6. Die Sauerstoff–Spektren
KVV–Prozesse unter Beteiligung der Valenzbandelektronen des Kristalls eine
KVV–Übergänge
Übergang Energie [eV]
K1 L1 O6 ↦→ K2 O6, O: 5s 2 5p 4
2s ↦→ 1s 551,5
2p ↦→ 1s 558,8
Bindungsenergien: EB(5s) = 5, 4eV , EB(5p) = 4, 5eV
K1 L1 M6 ↦→ K2 M6
2s ↦→ 1s 543,1
2p ↦→ 1s 552,1
Bindungsenergien: EB(3s) = 15, 5eV , EB(3p) = 11, 0eV
K1 L4 N3 ↦→ K2 L3 N3, L: 2s 2 2p 2 , N: 4s 2 4p 1
2s ↦→ 1s 519,2
2p ↦→ 1s 532,8
Bindungsenergien: EB(4s) = 4, 4eV , EB(4p) = 3, 6eV
Tabelle 6.3: KVV–Übergangsenergien Die (K1 L1 O6)–Konfiguration gibt aufgrund
ihrer L–Bindungsenergien, welche der Kristallaustrittsarbeit von 4,6eV am nächsten
kommen, die Einbettung des Ions in den Kristall am besten wieder. Die obere Grenze
der KVV–Energien beträgt in dieser Simulation 558,0eV.
sehr große Zahl von Anfangszuständen zur Verfügung. Die entsprechenden
KVV–Übergangsraten liegen in der gleichen Größenordnung wie diejenigen
der KLL–Hauptbeiträge (s. Kap.5.3 und [20]). Ihre Linienintensitäten werden
zudem noch durch hohe Elektronendichte des Valenzbandes begünstigt 2 .
Da alle KVV–Prozesse innerhalb des Kristalls ablaufen, ist bei kleinen Einfallswinkeln
Θ das für eine Messung zugängliche Zeitfenster gegenüber ausschließlich
vor der Oberfläche ablaufenden Interaktionen vergrößert, s. auch
S.88. KVV–Übergänge stehen im Festkörper in Konkurrenz zu den KLL–
Prozessen, allerdings können erstere als Übergänge zwischen inneren Schalen
nicht direkt von der Elektronendichte des Valenzbandes profitieren.
Für eine Berechnung der KVV–Übergangsenergien innerhalb des Kristalls
machen wir analog zu den LVV–Übergängen des Argons (s.Kap.5.3) den An-
2 KVV–Elektronen werden auch in vielen AES–Spektren unter Einsatz einer Elektronenkanone
beobachtet [4] (S.14, Fig.10). Im einfachen Beispiel des Graphits ist eine Unterscheidung
zwischen KLL– und KVV–Augerübergängen gar nicht möglich, weil die (C–
C)–Bindungen über eine L–Schalenhybridisierung zustandekommen.