Wechselwirkungen sehr langsamer hochgeladener Ionen mit einer ...

3.6. Targetpräparation 63
nur Adsorbatteilchen ab, sondern verursachen auch eine Implantation von
Argon oder Rückstoßteilchen und Kristalldefekte in den obersten Festkörperschichten,
s.a. Kap.7. Diese Fehlstellen lassen sich durch eine thermische Behandlung
des Kristalls beseitigen.
Zu diesem Zweck wurden in die aus Tantal bestehende Auflageplatte
des Kristalls mehrere Wolframdrähte integriert,
die durch einen extern regelbaren Heizstrom mit einer Leistung
von erfahrungsgemäß etwa 100W versorgt werden.
Die Temperatur kann über ein auf die Tantalplatte geschweißtes
Chromel–Alumel–Thermoelement kontrolliert werden.
Durch einen Temperaturgradienten hervorgerufene mechanische
Spannungen werden vermieden, indem der Kristall
sehr langsam über etwa eine halbe Stunde hinweg von Zimmertemperatur
auf 940 ◦ C hochgeheizt wird. In der Anfangsphase
kann man das Target weiterhin mit dem Argonstrahl
beschießen.
Nach ca. 15min auf Maximaltemperatur 7 läßt man den Kristall durch Verminderung
der Heizleistung über etwa eine Stunde hinweg allmählich abkühlen.
Erfahrungsgemäß bilden sich bei zu schneller Absenkung der Temperatur
hartnäckige Graphitstrukturen auf der Oberfläche aus.
Die thermische Behandlung des Kristalls hat zur Folge, daß Fremdatome
aus dem Kristall herausdiffundieren und Gitterdefekte ausgeheilt werden.
Die Reinheit der Oberfläche wird nach jedem Präparationszyklus mittels einer
AES–Messung (s. Abschnitt 3.7) überprüft. In Zukunft sind ebenfalls
LEED–Analysen 8 der Oberflächengitterstruktur geplant. Je nach Zustand
des Targets müssen die Präparationszyklen wiederholt werden.
7 Die Temperatur darf auf keinen Fall den Schmelzpunkt von Silizium bei 1410 ◦ C er-
reichen.
8 Low Energy Electron Diffraction oder niederenergetische Elektronenbeugung