Wechselwirkungen sehr langsamer hochgeladener Ionen mit einer ...

3.7. Augerelektronenspektroskopie 65
Abbildung 3.18: Inelastische freie Weglänge der Elektronen Elektronen mit kinetischen
Energien von einigen 100eV erleiden im Mittel schon nach dem Durchdringen
weniger Kristallschichten elastische und inelastische Stöße, so daß aus tiefen Schichten
stammende Elektronen nicht mehr aus dem Kristallverbund heraustreten können. Die
mittlere Reichweite läßt sich fast unabhängig vom Targetmaterial über die schwarz eingezeichnete
≪Universalkurve≫ [24] (S.99) annähern, die anderen drei Geraden geben
die mittleren inelastischen freien Weglängen in verschiedenen Materialien wieder.
≪Universalkurve≫ in Abb.3.18 veranschaulicht, daß die mittlere Reichweite
von Elektronen mit kinetischen Energien unterhalb von 500eV weniger als
10˚A beträgt. Daraus ergibt sich auch die Oberflächensensitivität von AES–
Messungen von Elektronen in Festkörpern, wie schon in Kap.2.4.4 besprochen.
In der Regel nimmt man AES–Spektren differentiell auf, wobei früher in Zeiten
der analogen Datenverarbeitung Lock–in–Verstärker zum Einsatz kamen.
Durch eine leichte Modifikation des Lock–in–Prinzips, welches normalerweise
zur Rauschunterdrückung oder Bandpaßfilterung angewendet wird, konnte so
die geglättete Ableitung des Spektrums direkt auf einem XY–Schreiber sichtbar
gemacht werden.
Wir hingegen verwenden direkte Spektren und führen eventuelle Differentiationsschritte
und Glättungen in einem digitalen Nachbehandlungsschritt aus.
Da Ansteuerung und Datenerfassung von einem Meßcomputer übernommen
werden, reichen in den meisten Fällen jedoch direkte Spektren zur Identifikation
von Oberflächenverunreinigungen aus. Eine gute Meßstatistik kann in
diesem Fall durch die Aufsummation mehrerer, direkt hintereinander aufgenommener
Spektren erzielt werden.