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Wechselwirkungen sehr langsamer hochgeladener Ionen mit einer ...

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Kapitel 7<br />

Simulation der<br />

Kristallschädigung<br />

7.1 Der TRIM–Code<br />

Zur Simulation der Trajektorien und Stöße von <strong>Ionen</strong> innerhalb des Kristalls<br />

verwenden wir das von J.F. Ziegler entwickelte Computerprogramm TRIM<br />

(Transport of Ions in Matter) [48]. Es basiert auf von J.P. Biersack entwickelten<br />

Reichweite–Algorithmen [14] und Stopping Power–Berechnungen<br />

von J.F. Ziegler [47].<br />

Das Programm beschränkt sich auf Wechselwirkungsprozesse einfach geladener<br />

<strong>Ionen</strong>, welche abgesehen von Sputtereffekten erst nach dem Eindringen<br />

in den Kristallverbund einsetzen. Dort spielen aufgrund des niedrigen Ladungszustands<br />

hauptsächlich binäre Stöße zwischen den einfallenden <strong>Ionen</strong><br />

und den Targetatomen eine Rolle.<br />

Nach dem in Kap.2 entwickelten Interaktionsmodell wird ein hochgeladenes<br />

Ion schon vor der Oberfläche über seine Rydbergzustände vollständig neutralisiert.<br />

Beim Eintritt in den Kristall werden die Elektronen aus äußeren<br />

Schalen abgestreift, während innere Niveaus erhalten bleiben und bei kleinen<br />

Einschußenergien Ekin < 100eV schon im Bereich weniger ˚Angstrøm<br />

unterhalb der ersten Monolage über XVV–Prozesse <strong>mit</strong> dem Leitungsband<br />

vollständig aufgefüllt werden.<br />

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