Wechselwirkungen sehr langsamer hochgeladener Ionen mit einer ...

34 2. Fundamentale Wechselwirkungen
Abbildung 2.11: Scale–Matching der Energieniveaus Aufgetragen ist die energetische
Lage der atomaren Orbitale in Abhängigkeit vom Abstand des Ions von der
Oberfläche. Die beiden Kurven repräsentieren unterschiedliche Besetzungen der L–
Schale.
Θ = 1, 8 ◦ einfallenden Ionenstrahl an. Die hier relevante senkrechte ≪Komponente≫
der kinetischen Energie beträgt dabei nur E⊥ = 2, 1 a.u. und liegt
damit in der gleichen Größenordnung wie bei den in dieser Arbeit diskutierten
Spektren.
Aber nicht nur die Energien, sondern auch die räumlichen Abmessungen der
beteiligten Elektronenorbitale und R0 passen sich aufgrund des Abschirmeffekts
aneinander an. Sie liegen zwischen 1 a.u. und 2 a.u., wodurch die
Überlappintegrale und damit die Transferraten sehr große Werte annehmen.
2.8.2 XVV–Prozesse
Die Wechselwirkungen innerhalb des Kristalls kann man über die Bewegung
des Ions durch ein freies Elektronengas modellieren. Wie in Kap.2.8.1
erläutert verliert das hohle Atom beim Eintritt in den Kristall durch den
Abschirmeffekt des Leitungsbandes die Elektronen seiner äußersten Orbitale.
Da die Geschwindigkeit der Autoionisationskaskade i.a. nicht ausreicht um
innere Niveaus zu einem höheren Grad zu besetzen, bilden sich anfänglich
Ionen mit schwach besetzten L– und M–Schalen.