Wechselwirkungen sehr langsamer hochgeladener Ionen mit einer ...

3.8. Die UHV–Kammer 67
Abb.3.19 und 3.20 zeigen AES–Spektren vor und nach einer Präparationsphase.
Es ist deutlich zu erkennen, wie nach der Reinigung der Siliziumpeak
aus dem Restspektrum klar hervortritt und die Peaks der Adsorbatschichtelemente
verschwinden.
3.8 Die UHV–Kammer
Abbildung 3.21: Schema des differentiell gepumpten Vakuumsystems Zwischen
Targetkammer und Ionenquelle wird über Strahltransportkammern ein Druckgefälle
von etwa vier Größenordnungen aufgebaut. Der UHV–Bereich ist grau unterlegt.
In Kapitel 3.6 wurde beschrieben, wie man durch eine Kombination von
Sputter– und Ausheizzyklen eine atomar reine Oberfläche präparieren kann.
Der Restgasdruck in der Kammer sorgt aber dafür, daß ständig neue Teilchen
an der Oberfläche adsorbieren.
Oberflächenbelegung
Dazu stelle man sich vor, daß die Restgaspartikel mit einer gewissen Wahrscheinlichkeit
κ, dem sogenannten Haftkoeffizienten, beim Auftreffen auf den
Kristall adsorbiert werden. In einem einfachen Modell sei κ konstant, obwohl
es in der Realität sicherlich zumindest eine Funktion von Teilchengeschwindigkeit,
Einfallswinkelswinkel und Auftreffort darstellt und vom Targetmaterial
abhängt. Dann ist die Adsorptionsrate pro Flächeneinheit Γad proportional
zur mittleren Geschwindigkeit der Gasteilchen ¯v(T ), welche von der
Temperatur T abhängt, und der Teilchendichte ρ ∝ p, die sich nach dem
allgemeinen Gasgesetz proportional zum Druck p verhält.
Γad ∝ κp¯v(T ) (3.10)