Fundamentos

Fundamentos de Física Médica
Volumen 1. Medida de la radiación
por lo que es recomendable, que antes de utilizarlos de manera rutinaria
para la obtención de distribuciones de dosis absorbida, se comparen
con las curvas obtenidas con cámara de ionización, corregidas
por los diferentes factores que influyen en la respuesta. Por ejemplo,
en el caso de obtención de curvas de dosis absorbida en profundidad
(“Percentage Depth Dose”, PDD), para la caracterización del haz, es de
suma importancia comparar con los valores obtenidos con la cámara
de ionización, tanto si el haz es de electrones como de fotones, ya que
la respuesta varía con la energía del haz de radiación.
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Resultan especialmente útiles en la verificación de la simetría y uniformidad
del haz y en la obtención de mapas de isodosis en planos.
Por último, recordar que en el ámbito del radiodiagnóstico, los sistemas
basados en diodos, han sustituido por su menor tamaño, portabilidad, manejabilidad,
eficacia, robustez y precio a los basados en cámaras de ionización. Los
sistemas más modernos pueden integrar en la misma sonda, del orden de unos
pocos cm 2 , dosímetro y penetrómetro. En un sola exposición pueden determinar
el kVp, la dosis absorbida y el tiempo de la exposición e incluso mostrar las
gráficas o formas de onda del kVp y de la dosis absorbida en función del tiempo.
Estas sondas se conectan a ordenadores personales portátiles e incluso a
agendas electrónicas personales, mediante pequeños dispositivos de interconexión
y control. Estos equipos van provistos de software de control que realiza
las correcciones pertinentes y cálculos necesarios de las medidas de forma
prácticamente transparente al usuario, almacenando y organizando los datos
medidos. Normalmente incluyen utilidades para la exportación de los datos
a otros programas que permiten la manipulación de los datos, la elaboración
personalizada de los informes y el archivo de los datos según las necesidades
del usuario.
3.5.2. Dosímetros MOSFET
Los transistores de efecto de campo de tipo metal–óxido semiconductor
(“Metal–Oxide–Semiconductor Field Effect Transistor”, MOSFET), presentan la
ventaja de su pequeño tamaño incluso frente a los dosímetros de diodo ya que
sus dimensiones habituales son 0,2 mm x 0,2 mm x 1 mm. Su utilización como
dosímetro data de 1978 cuando fueron propuestos por A. Holmes–Siedle para
ser utilizados en el espacio. El principio de funcionamiento se basa en que la
radiación produce la creación de pares electrón–hueco en el óxido de silicio de
la puerta del transistor. La energía necesaria para crear un par electrón–hueco
en el óxido de silicio es de 18 eV aproximadamente. En el caso indicado en la
figura 9, se muestra un MOSFET de canal P de enriquecimiento. Este tipo de
MOSFET requiere una tensión negativa en la puerta (“gate”) para establecer
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