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Fundamentos

Descargar - SEFM, Sociedad Española de Física Médica

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<strong>Fundamentos</strong> de Física Médica<br />

Volumen 1. Medida de la radiación<br />

alcanzar un factor de multiplicación del orden de 10 10 . Así, la carga eléctrica<br />

recogida es proporcional al número de fotones luminosos que han<br />

llegado al fotocátodo, que a su vez es proporcional a la energía liberada<br />

en el cristal por la partícula incidente.<br />

La señal eléctrica a la salida del fotomultiplicador es débil y de corta duración.<br />

No puede ser transportada directamente y debe pasar primero por un preamplificador.<br />

El dispositivo electrónico de detección se compone de:<br />

••<br />

Amplificador: la ganancia debe ser grande, pues la señal de entrada es<br />

muy débil y la linealidad debe ser perfecta.<br />

••<br />

Discriminador: el elemento esencial es un circuito de umbral. Este sólo<br />

transmite el impulso recibido si su energía es superior a un determinado<br />

valor. También existen discriminadores que seleccionan los impulsos<br />

si su valor de energía está comprendido en una ventana definida previamente.<br />

••<br />

Contador o escala: elemento capaz de efectuar el recuento de los impulsos<br />

previamente seleccionados.<br />

Los sistemas basados en detectores de centelleo son más sensibles que los<br />

basados en contadores GM a la radiación de fotones, por este motivo son más<br />

eficaces en los campos de baja fluencia, siendo muy apropiados para la detección<br />

de contaminaciones o la búsqueda de fuentes perdidas. Por otro lado,<br />

al presentar un tiempo muerto menor que los GM, ya que en este caso es del<br />

orden del ms, son más apropiados para campos de radiación de alta fluencia,<br />

aunque pueden presentar los mismos problemas de saturación que presentan<br />

los GM, incluyendo la falta de indicación de que el detector está saturado y sin<br />

embargo muestre una lectura nula.<br />

4.7. Detectores de semiconductor<br />

El principio de funcionamiento de los detectores semiconductores puede<br />

asemejarse como ya se ha comentado, al de la cámara de ionización, donde el<br />

medio ionizable, en vez de un gas, consiste en un semiconductor de alta resistividad.<br />

La alta resistividad se alcanza mediante la formación de zonas del material<br />

exentas de portadores libres, que se logran mediante diversos métodos<br />

que son característicos de los diversos semiconductores.<br />

Existen diversos tipos de detectores de semiconductor: intrínsecos como<br />

los de CdS, CdSe ó Ge hiperpuro y extrínsecos como los de Ge ó Si. Estos últimos<br />

pueden ser de tipo compensado, es decir conteniendo impurezas donadoras<br />

y receptoras en el mismo cristal y en la misma proporción, al menos<br />

en una zona, comportándose entonces dicha zona como un semiconductor<br />

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