Molecular beam epitaxial growth of III-V semiconductor ... - KOBRA

(MEE = migration enhance epitaxy) und MBE-Methoden. Mittels
Hochenergie-Elektronenreexionsbeugung (RHEED = reection high
energy electron diraction) konnte durch die Beobachtung von Streifenmustern
bestätigt werden, dass Streifenmuster bestätigten, dass eine
in-situ Reinigung mit atomarem Wassersto gefolgt von thermischer
Desorption in einem Temperaturbereich von 750-900 ◦ C eine sehr ef-
ziente Reinigungsmethode von Oberächen ist. Veränderungen der
Gröÿe, Dichte und Form von QDs wurden ex-situ mit Hilfe eines
Rasterkraftmikroskops (AFM) und Transmissionselektronenmikroskops
(TEM) charakterisiert. Die InAs QD-Dichte nimmt stark von 10 8 auf
10 11 cm −2 zu, wenn das V/III-Verhältnis von 15 auf 35 (strahläquivalente
Druckwerte) erhöht wird. Das Entstehen von InAs QDs konnte
nicht bei Temperaturen oberhalb von 500 ◦ C beobachtet werden.
Wachstumsexperimente auf (111)-Substrate zeigen eine Abhëngigkeit
der QD-Geometrie von der Substratorientierung. Es wurde eine Veränderung
von Form und Gröÿe bei ausgedehnten InAs QDs und Quantenstriche
bei einer (111)-Orientierung und einer Indiumwachstumsrate
von 0.3 ML/s beobachtet. 2D-Spannungskarten von hochau-
ösenden TEM-Messungen bestätigten, dass InAs QDs in Silizium
semikohärent und vollständig entspannt in einer defektfreien Siliziummatrix
eingebettet sind. Die Verspannung wird abgebaut durch
versetzungsschleifen, die sich an der Si/InAs-Grenzäche benden und
teilweise auch durch Stapelfehler innerhalb der InAs-QDs.
Das positionskontrollierte Wachstum von GaAs/In 0.15 Ga 0.85 As/GaAs-
Nanostrukturen wurde zum ersten Mal bei einem Löcherabstand von
1 µm und einer sehr dünnen, nominalen Depositionsdicke direkt auf
vorstrukturiertem Silizium ohne SiO 2 -Masken demonstriert.
Dünne planare GaP-Schicht wurde durch MEE abgeschieden, um
planare GaP-Benetzungschichten an der polar/unipolar-Grenzäche
zu erzeugen. Diese dienen als virtuelles GaP-Substrat für die nachfolgende
GaP-MBE-Abscheidung auf die GaP-MEE-Schicht mit einer
Gesamtdicke von 50 nm, was unterhalb der kritschen Dicke ist. Damit