xxiii Ïανελληνιο ÏÏ Î½ÎµÎ´Ïιο ÏÏ ÏÎ¹ÎºÎ·Ï ÏÏεÏÎµÎ±Ï ÎºÎ±ÏαÏÏαÏÎ·Ï & εÏιÏÏÎ·Î¼Î·Ï ...
xxiii Ïανελληνιο ÏÏ Î½ÎµÎ´Ïιο ÏÏ ÏÎ¹ÎºÎ·Ï ÏÏεÏÎµÎ±Ï ÎºÎ±ÏαÏÏαÏÎ·Ï & εÏιÏÏÎ·Î¼Î·Ï ...
xxiii Ïανελληνιο ÏÏ Î½ÎµÎ´Ïιο ÏÏ ÏÎ¹ÎºÎ·Ï ÏÏεÏÎµÎ±Ï ÎºÎ±ÏαÏÏαÏÎ·Ï & εÏιÏÏÎ·Î¼Î·Ï ...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
με 0.80 eV στη διεπιφάνεια CoPc/Au και 0.20 eV στη διεπιφάνεια CoPc/ΙΤΟ και εφόσον δεν παρατηρείται κάμψη των<br />
ενεργειακών ζωνών του οργανικού οι μεταβολές του έργου εξόδου αντιπροσωπεύουν το μέγεθος του διπόλου που<br />
σχηματίζεται στη διεπιφάνεια.<br />
C1s Binding Energy (eV)<br />
285,4<br />
285,3<br />
285,2<br />
285,1<br />
285,0<br />
284,9<br />
284,8<br />
284,7<br />
CoPc/Au<br />
CoPc/ITO<br />
High Binding Energy cut-off (eV)<br />
5,2<br />
5,0<br />
4,8<br />
4,6<br />
4,4<br />
4,2<br />
CoPc/ITO<br />
CoPc/Au<br />
284,6<br />
0 1 2 3 4 5<br />
CoPc thickness (nm)<br />
0 1 2 3 4 5 6 7<br />
CoPc thickness (nm)<br />
Σχήμα 1. Μεταβολή της ενέργειας σύνδεσης<br />
της κορυφής XPS του C1s κατά τις διαδοχικές<br />
αποθέσεις της CoPc πάνω σε Au και ITO.<br />
Σχήμα 2. Μεταβολή του έργου εξόδου<br />
κατά τον σχηματισμό των διεπιφανειών<br />
CoPc/Au και CoPc/ITO.<br />
Από τα φάσματα UPS προσδιορίστηκε επίσης η θέση του υψηλότερου κατειλημμένου μοριακού τροχιακού (HOMO) στο<br />
υμένιο της CoPc πάχους ~5.0 nm, το οποίο βρέθηκε σε ενέργεια σύνδεσης 0.80 ±0.05 eV και στις δύο διεπιφάνειες, ενώ<br />
υπολογίστηκε το φράγμα έγχυσης οπών (Φ bh ), το οποίο είναι ίσο με το HOMO, 0.80 ±0.05 eV και στις δύο διεπιφάνειες,<br />
καθώς δεν συμβαίνει κάμψη των ενεργειακών ζωνών του οργανικού. Προσδιορίστηκε τέλος η ενέργεια ιονισμού (I) της<br />
CoPc από τη σχέση, I= eΦ (CoPc) + HOMO cut-off = 5.20 ±0.05 eV, μέγεθος το οποίο έχει σταθερή τιμή για κάθε υλικό. Από<br />
τον συνδυασμό των πειραματικών αποτελεσμάτων για τις διεπιφάνειες CoPc/Au και CoPc/ITO μπορούμε να σχεδιάσουμε το<br />
διάγραμμα των ενεργειακών επιπέδων των δύο υλικών στις ετεροεπαφές (σχήμα 3).<br />
Η ενεργειακή μετατόπιση στα επίπεδα καρδιάς του οργανικού υμενίου, η οποία παρατηρείται για πάχη μέχρι ~2.0<br />
nm και στις δύο διεπιφάνειες έχει αντίθετη φορά. Στην περίπτωση του ΙΤΟ, παρατηρείται μεταβολή κατά +0.54 eV η οποία<br />
αποδίδεται σε πιθανή μεταφορά φορτίου από το οργανικό υμένιο στο υπόστρωμα ή σε εμφάνιση φαινομένων αρχικής<br />
κατάστασης λόγω ηλεκτρονιακής θωράκισης των σχηματιζόμενων οπών στο οργανικό μόριο από τα γειτονικά μόρια. Η<br />
μικρή αύξηση του έργου εξόδου στα πρώτα στάδια των αποθέσεων οφείλεται είτε στη μεταφορά φορτίου προς το<br />
υπόστρωμα η οποία μειώνεται με την αύξηση του πάχους του οργανικού υμενίου, είτε στην εξομάλυνση της τραχιάς<br />
επιφάνειας του ΙΤΟ, λόγω της ιοντοβολής με αργό, από τα πρώτα αποτιθέμενα οργανικά μόρια. Στην περίπτωση του Au, η<br />
αρχική μετατόπιση της ενέργειας σύνδεσης οφείλεται στη θωράκιση των οπών από τα ελεύθερα ηλεκτρόνια του χρυσού. Στα<br />
πρώτα στάδια των αποθέσεων της CoPc συμβαίνει ανακατανομή του ηλεκτρονιακού νέφους στην επιφάνεια του μετάλλου<br />
εξαιτίας της παρουσίας των μορίων του οργανικού υλικού, με αποτέλεσμα να «πιέζονται» τα άκρα του ηλεκτρονιακού<br />
νέφους προς το μέταλλο συντελώντας σε θετική φόρτιση της επιφάνειας κοντά στο επίπεδο του κενού και επομένως στο<br />
χαμήλωμα του επιπέδου κενού και στη μείωση του έργου εξόδου, σχηματίζοντας έτσι ένα επιφανειακό δίπολο.<br />
Evac<br />
eD = 0.80 eV<br />
Evac<br />
Evac<br />
eD = +0.20 eV<br />
Evac<br />
eΦ(Au) = 5.20 eV<br />
eΦ(CoPc) = 4.40 eV<br />
I= 5.20 eV<br />
eΦ(ITO) = 4.20 eV<br />
I= 5.20 eV<br />
eΦ(CoPc) = 4.40 eV<br />
E F<br />
E F<br />
Φ bh = 0.80 eV<br />
HOMO cutoff<br />
Φ bh = 0.80 eV<br />
HOMO cutoff<br />
Au<br />
CoPc<br />
ITO<br />
CoPc<br />
Σχήμα 3. Σχηματική απεικόνιση των ενεργειακών διαγραμμάτων στις διεπιφάνειες CoPc/Au (αριστερά) και<br />
CoPc/ITO (δεξιά).<br />
Αναφορές<br />
[1] Upward M.D., Beton P.H., Moriarty P., Surf. Sci. 441 (1999) 21.<br />
[2] Takada M., Tada H., Chem. Phys. Lett. 392 (2004) 265.<br />
[3] Abdel-Malik T.G., Abdel-Latif R.M., Thin Solid Films 305 (1997) 336.<br />
[4] Scudiero L., Hipps K.W., Barlow Dan E., J. Phys. Chem. B 107 (2003) 2903.<br />
[5] Höchst H., Goldmann A., Hüfner S., Malter H., Phys. Stat. Sol. (b) 76 (1976) 559.<br />
[6] Peisert H., Knupfer M., Schwieger T., Fink J., Appl. Phys. Lett. 80/16 (2002) 2916.<br />
13