xxiii πανελληνιο ÏƒÏ Î½ÎµÎ´ÏÎ¹Î¿ Ï†Ï ÏƒÎ¹ÎºÎ·Ï‚ στερεας καταστασης & επιστημης ...

ανοπτημένο με λέιζερ δείγμα στα 248nm και ενεργειακές πυκνότητες 0.1 J/cm 2 (33 παλμοί) + 0.2 J/cm 2 (33 παλμοί) + 0.3
J/cm 2 (33 παλμοί) , η τιμή του FWHM έχει μειωθεί στα 34arcsec καταδεικνύοντας βελτίωση της κρυσταλλικότητας.
Η εμφύτευση των ιόντων στο SiC αυξάνει δραματικά τον συντελεστή απορρόφησης των εμφυτευμένων με ιόντα
στρωμάτων. Η ανόπτηση σε όλο το βάθος τους απαιτεί ισχυρή ενεργειακή πυκνότητα λέιζερ οδηγώντας σε επιφανειακή
τραχύτητα. Με την “μέθοδος πολλαπλής ακτινοβόλησης” που εφαρμόσαμε προκαλέσαμε σταδιακή αποκατάσταση του
εμφυτευμένου στρώματος με διαδοχικές ακτινοβολήσεις αυξανόμενης ενέργειας. Η μέθοδος βασίζεται στην αποκατάσταση
του συντελεστή απορρόφησης και επιτρέπει την σταδιακή ανόπτηση του εμφυτευμένου στρώματος σε όλο το βάθος χωρίς να
προκαλείται επιφανειακή τραχύτητα.
1.0
Reflectivity (a.u.)
0.8
0.6
0.4
non-implanted
0.15J/cm 2 +0.25J/cm 2 +0.35J/cm 2
N=3x33 pulses
0.15J/cm 2 , 100 pulses
as-implanted
0.2
0.0
600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
Wavenumber (cm -1 )
Σχήμα1 – Φάσματα υπέρυθρης ανακλαστικότητας για καθαρό, μηανοπτημένο
και ανοπτημένο με λέιζερ (λ=355nm) 4H-SiC.
Σχήμα2 – Χαρακτηριστικά φάσματα micro-Raman μη
ανοπτημένων και ανοπτημένων με λέιζερ (355nm, 100 παλμοί)
4H-SiC δειγμάτων
Reflectivity (a.u.)
1.0
0.8
0.6
0.4
as grown
100x(0.1, 0.2, 0.3 J/cm 2 )
33x(0.1, 0.2, 0.3 J/cm 2 )
33x(0.1, 0.2 J/cm 2 )
as implanted
Intensity (cps)
70000
60000
50000
40000
30000
20000
as implanted
33 x (0.1J/cm 2 ,0.2J/cm 2 ,0.3J/cm 2 )
as - grown
0.2
10000
0.0
600 800 1000 1200 1400 1600 1800
wavenumber (cm -1 )
Σχήμα3 – Φάσματα υπέρυθρης ανακλαστικότητας για καθαρό, μηανοπτημένο
και ανοπτημένο με λέιζερ (λ=248nm) 4H-SiC.
0
-1000 -800 -600 -400 -200 0 200 400 600 800 1000
ΔΘ (arcsec)
Σχήμα4 – Φάσματα περίθλασης ακτίνων-x για καθαρό, μη
ανοπτημένο και ανοπτημένο με λέιζερ (λ=248nm) 4H-SiC
IV. ΕΥΧΑΡΙΣΤΙΕΣ
Το έργο αυτό συγχρηματοδοτείται από την Ευρωπαϊκή ένωση (75%) και από Εθνικούς πόρους (25%) – Επιχειρησιακό
Πρόγραμμα Εκπαίδευσης και Αρχικής Επαγγελματικής Κατάρτισης (ΕΠΕΑΕΚ) και ειδικότερα από το πρόγραμμα
ΠΥΘΑΓΟΡΑΣ ΙΙ.
V. ΑΝΑΦΟΡΕΣ
[1]P. G. Neudeck, in K. H. J. Bushchow, R. W. Cahn, M. C. Flemings, B. Ilschner, E. J. Kramer, and S. Mahajan (Eds),
Encyclopedia of Materials: Science and Technology, Vol. 9, Oxford: Elsevier Science, 2001, p8508.
[2]J E. Wendler, A. Heft, W. Wesch, Nucl. Inst. and Meth. B 141, 105-117 (1998).
[3]W. J. Weber, L.M. Wang, N. Yu, Nucl Inst. and Meth. B 116, 322-326 (1996).
[4]M. Hatano, S. Moon, M. Lee, K. Suzuki, C.P. Grigoropoulos, J. Appl. Phys. 87 36 (2000).
[5]C.P. Grigoropoulos, S. Moon, M. Lee, M. Hatano, K. Suzuki, Appl. Phys. A, 69 295 (1999).
[6]H. Hobert, H Dunken, R. Menzel, T. Bachmann, W. Wesch, J. Non-Cryst. Solids 220, 187-194 (1997).
[7]J. C. Burton, F. H. Long, I. T. Ferguson, J. Appl. Phys. 86(4), 2073-2077 (1999).
61