More documents

Recommendations

Info

Στην περίπτωση της εγχάραξης Si ένας πιθανός μηχανισμός είναι η ταυτόχρονη με την εγχάραξη ισότροπη εναπόθεση σωματιδίων που παρεμποδίζουν την εγχάραξη (παρεμποδιστών) σε συνδυασμό με την ανισότροπη ροή των ιόντων που είναι και τα μόνα που μπορούν να τα απομακρύνουν (βλ. σχ.2γ). Προσομοίωση του μηχανισμού αυτού με μεθόδους Monte Carlo δίνει τοπογραφία, κατανομές υψών και w(t), ξ(t) σε πολύ καλή συμφωνία με τα πειραματικά αποτελέσματα των σχ. 1,2. Εγχάραξη επιφανειών πολυμερών : Πείραμα και εφαρμογές.[3,4] Επιφάνειες του οργανικού πολυμερούς PMMA (poly(methyl methacrylate)) και του πυριτιούχου πολυμερούς PDMS poly(dimethyl siloxane) έχουν εγχαραχθεί με πλάσμα Ο 2 και SF 6 αντίστοιχα, σε συνθήκες που και στις δύο περιπτώσεις οδηγούν σε έντονα ανισότροπη εγχάραξη. Πιο συγκεκριμένα, για το O 2 η ισχύς του πλάσματος ήταν 2000W, η πίεση 0.75Pa, η ροή 100sccm, η τάση πόλωσης -100V και η θερμοκρασία του δισκίου 10 ο C, ενώ για το SF 6 οι αντίστοιχες παράμετροι είναι 1900 W, 1.33 Pa, 200 sccm, -100 V, 15 o C. Σε όλες τις περιπτώσεις, στις επιφάνειες μετά την εγχάραξη εναποτέθηκε υμένιο FC (fluorocarbon) ώστε να γίνουν υδρόφοβες. Τα αποτελέσματα που θα παρουσιάσουμε εδώ αφορούν την εξέλιξη της τραχύτητας των πολυμερικών επιφανειών συναρτήσει του χρόνου εγχάραξης. Στο σχ.3α,β δείχνονται δύο επιφάνειες PMMA μετά από εγχάραξη 2 και 5 min αντίστοιχα, και στα 4γ,δ επιφάνειες PDMS μετά από εγχάραξη σε χρόνους 2 και 6min. (α) (β) (γ) (δ) Σχήμα 3. α,β) ΑFM επιφάνειες PMMA μετά από κατεργασία 2 και 5 min με πλάσμα O 2 , γ,δ) Επιφάνειες PDMS μετά από κατεργασία 2 και 6min με πλάσμα SF 6 (AFM και SEM αντίστοιχα) Παρατηρούμε ότι και στις δύο περιπτώσεις αναπτύσσεται έντονη τραχύτητα της ίδιας τάξης περίπου όπως φαίνεται στο σχ. 4α. Στο σχ. 4β δείχνουμε τις συναρτήσεις συσχέτισης υψών G(r) των επιφανειών PMMA για τρεις χρόνους εγχάραξης. Η αύξηση της τιμής τους με το χρόνο στα μικρά r αποκαλύπτει τον ανώμαλο χαρακτήρα της κινητικής τραχύτητας και σε αυτή την περίπτωση, δηλ. την ανάπτυξη έντονων τοπικών διακυμάνσεων με αυξανόμενο με το χρόνο ύψος. Παρόμοια συμπεριφορά παρατηρείται και στις επιφάνειες του PDMS. rms w(t) (nm) 250 PMMA PDMS 200 150 100 50 0 G(r) (nm) 1000 100 10 5 min 2 min 1 min 10 100 1000 r (nm) Σχήμα 4: α) Η rms τραχύτητα w(t) συναρτήσει του χρόνου εγχάραξης για τα πολυμερή PMMA και PDMS, β) Η συνάρτηση συσχέτισης G(r) για διάφορους χρόνους για το PMMA 1 2 3 4 5 ETCHING TIME (min) (α) (β) Μία από τις σημαντικότερες εφαρμογές της τραχύτητάς είναι η επίδρασή της στα φαινόμενα διαβροχής της επιφάνειας. Στο σχ.5 δείχνονται οι γωνίες επαφής και η υστέρηση των επιφανειών PMMA (5α) και PDMS (5β) αντίστοιχα συναρτήσει του χρόνου εγχάραξης και της τάσης πόλωσης. Και στις δύο περιπτώσεις παρατηρούμε σημαντική αύξηση της γωνίας επαφής και μείωση της υστέρησης με την τραχύτητα που αυξάνει είτε με το χρόνο εγχάραξης. Η συμπεριφορά αυτή μετατρέπει τις επιφάνειες αυτές σε υπερυδρόφοβες. Κατά συνέπεια η εγχάραξη με πλάσμα πολυμερών σε κατάλληλες συνθήκες αποτελεί έναν εύκολο και γρήγορο τρόπο για τον έλεγχο της υδροφοβικότητας επιφανειών με πολλές δυνατότητες εφαρμογών όπως στον έλεγχο της ροής μέσα σε μικροκανάλια με πολυμερικά τοιχώματα. CA ( o ) 160 150 140 130 120 110 Optical transparency Super-hydrophobic range CA HYSTERESIS 0 1 2 3 4 5 6 40 35 30 25 20 15 10 5 HYSTERESIS ( o ) CONTACT ANGLE (CA) AND HYSTERISIS 150 140 130 120 110 CA HYSTERISIS 0 2 4 6 8 ETCHING TIME (min) ETCHING TIME (min) (α) (β) Σχήμα 5. H γωνία επαφής (CA) και η υστέρηση συναρτήσει του χρόνου εγχάραξης και άρα της τραχύτητας για το PMMA (α) και για το PDMS (β). Σταγόνα νερού καθώς κυλάει σε επιφάνεια του PDMS μετά την κατεργασία της σε πλάσμα SF 6 [1] G. Kokkoris et al. submitted to Applied Physics Letters (2007) [2] A.D. Tserepi et al. Nanotechnology 17 (2006) 3977 [3] N. Vourdas et al. Nanotechnology 18 (2007) 125304 40 35 30 25 20 15 10 5 0 -5 56
Ευαισθησία και Διακριτική Ικανότητα της Τεχνικής SXRF εντός Ηλεκτρονικού Μικροσκοπίου Σάρωσης για την Ανάλυση Πολύ Λεπτών Υμενίων. Ε. Βαλαμόντες*, Κ. Νομικός Τμήμα Ηλεκτρονικής, Τεχνολογικό Εκπαιδευτικό Ίδρυμα Αθήνας, 12210 Αιγάλεω *email: vala@teiath.gr Η μικροανάλυση με δέσμη ηλεκτρονίων (EPMA) και ο φθορισμός ακτίνων Χ (XRF) είναι δύο τεχνικές ανάλυσης με αρκετά διαφορετικά χαρακτηριστικά αλλά και συμπληρωματικά πλεονεκτήματα. Η EPMA χρησιμοποιεί διέγερση από δέσμη ηλεκτρονίων σε ένα ηλεκτρονικό μικροσκόπιο ενώ η XRF χρησιμοποιεί πηγή διέγερσης ακτίνων Χ, προσφέροντας αρκετά πλεονεκτήματα σε σχέση με την διέγερση από δέσμη ηλεκτρονίων όπως την μεγαλύτερη ευαισθησία της. Από την άλλη πλευρά, η EPMA προσφέρει το πλεονέκτημα της πολύ καλύτερης διακριτικής ικανότητας, της τάξης του μm. Αρκετές προσπάθειες έχουν γίνει για την χρήση της δέσμης ηλεκτρονικού μικροσκοπίου σαν μία πηγή ακτίνων Χ μέσα στο μικροσκόπιο. Μία λύση προτάθηκε από τον Cazaux [1] και πραγματοποιήθηκε πρώτα σε όργανο ανάλυσης επιφανειών [2] και αργότερα σε ηλεκτρονικό μικροσκόπιο σάρωσης [3]. Σε αυτή την λύση συνυπάρχουν μία άνοδος σε μορφή λεπτού υμενίου σε επαφή με το δείγμα που επίσης είναι σε μορφή λεπτού υμενίου. Οι ακτίνες Χ που παράγονται στην άνοδο από τα προσπίπτοντα ηλεκτρόνια ιονίζουν τα άτομα του δείγματος (Σχήμα 1). Συγκρινόμενη με τις άλλες προτεινόμενες λύσεις προσφέρει την καλύτερη διακριτική ικανότητα, της τάξης του μm, όταν η άνοδος έχει πάχος της τάξης της διαδρομής των ηλεκτρονίων σ’ αυτή. Στην παρούσα εργασία, χρησιμοποιείται η μέθοδος αυτή (SXRF) και εξετάζεται η ευαισθησία της στην ανάλυση πολύ λεπτών δειγμάτων, εκεί όπου η EPMA φθάνει στα ανιχνευτικά της όρια. Για τον σκοπό αυτό χρησιμοποιούνται τόσο πειραματικά αποτελέσματα όσο και προσομοιώσεις Monte Carlo και πραγματοποιείται ευθεία σύγκριση με την EPMA. Με τις ίδιες τεχνικές υπολογίζεται και η χωρική κατανομή του σήματος της SXRF. Στο σχήμα 2 παρουσιάζονται τα πειραματικά αποτελέσματα του πηλίκου του σήματος προς το υπόβαθρό του (S/B) στην περίπτωση της SXRF για διαφορετικά πάχη υμενίων σαν συνάρτηση της γωνίας ανίχνευσης (υμένια Al και άνοδος Au). Όταν η γωνία ανίχνευσης αυξάνεται, το πηλίκο S/B βελτιώνεται, λόγω της περαιτέρω μειώσεως του υποβάθρου εξ αιτίας της μεγαλύτερης απορρόφησης της συνεχούς ακτινοβολίας στην άνοδο. Η EPMA εφαρμόζεται στα ίδια δείγματα για σύγκριση. Το σήμα των ακτίνων Χ στην SXRF και στην EPMA είναι της ίδιας τάξης μεγέθους στην περίπτωση των πολύ λεπτών υμενίων. Στην πρώτη τεχνική το υπόβαθρο μειώνεται εξ αιτίας της απορρόφησης της συνεχούς ακτινοβολίας στην άνοδο και είναι πολύ μικρότερο σε σύγκριση με την δεύτερη. Η SXRF έχει πολύ καλά σχετικά ανιχνευτικά όρια μεταξύ 10 και 500 ppm κατά βάρος πάντα στην περίπτωση των πολύ λεπτών υμενίων. Τα απόλυτα ανιχνευτικά όρια είναι ανάμεσα σε 10 -11 και 10 -14 g [4]. Τα ανιχνευτικά όρια της τεχνικής εξαρτώνται έντονα από τις πειραματικές συνθήκες. Αντίθετα με την SXRF, η EPMA έχει σχετικά ανιχνευτικά όρια της τάξης των 1000 ppm κατά βάρος. Η χωρική κατανομή του σήματος των ακτίνων Χ από τα υμένια στην περίπτωση της SXRF είναι κατά προσέγγιση Gaussian. Με την εφαρμογή του κριτηρίου Rayleigh, όπως στις αναφορές [5, 6], υπολογίζεται η διακριτική ικανότητα της τεχνικής. Η διακριτική ικανότητα είναι της τάξης του μm για κάθε συνδυασμό υμενίου και ανόδου (Σχήμα 3). Συνεπώς, η διακριτική ικανότητα της SXRF είναι μερικές τάξεις μεγέθους καλύτερη από την διακριτική ικανότητα της κλασικής XRF. Στο σχήμα 4 παρουσιάζεται σε γραμμική σάρωση το σήμα των ακτίνων Χ στην περίπτωση της SXRF για σύστημα Al / Au. Υπάρχει μορφοποίηση με γραμμές Al πάχους 10 μm και κενά πάχους 10 μm στο πίσω μέρος της ανόδου. Το πάχος των γραμμών του Al είναι 200 nm. Η διακριτική ικανότητα της SXRF είναι της τάξης του 1 μm. Η συμφωνία μεταξύ πειραματικών αποτελεσμάτων και προσομοιώσεων Monte Carlo είναι πολύ καλή. Τόσο η SXRF όσο και η EPMA εφαρμόσθηκαν στην ανάλυση πολύ λεπτών υμενίων. Η ευαισθησία της SXRF είναι καλύτερη από αυτή της EPMA στην περίπτωση υμενίων με πάχη ως μερικές δεκάδες nm για κάθε συνδυασμό υμενίου και ανόδου. Η διακριτική ικανότητα της SXRF είναι της τάξης του μm. Αυτό είναι πολύ καλύτερο από την διακριτική ικανότητα της κλασικής XRF και της ίδιας τάξης μεγέθους με την EPMA. Αναφορές [1] J. Cazaux, Rev. Phys. AppI. 10 (1975) 263. [2] D. Mouze, X. Thomas, J. Cazaux, in: J. D. Brown, R. H. Packwood (Ed.), Proceed. of 11th Internat. Congr. on X-ray Optics and Microanalysis, London, Canada, 1986, p. 63. [3] E. Valamontes, A. G. Nassiopoulos, in: Proceedings of III Balkan Congress on Electron Microscopy, Athens, 1989, p. 267. [4] E. S. Valamontes, J. C. Statharas, C. Nomicos, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, (in press 2007). [5] E. Valamontes, A. G. Nassiopoulos, N. Glezos, Surf. Interf. Anal. 19 (1992) 419. [6] E. S. Valamontes, J. C. Statharas, Vacuum 77 (2005) 371. 57
Page 1 and 2:
XXIII ΠΑΝΕΛΛΗΝΙΟ ΣΥΝΕ
Page 3 and 4:
Κοιτώντας τα πρακτ
Page 5 and 6:
ΕΠΙΤΡΟΠΕΣ Οργανωτι
Page 7 and 8:
ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ ΣΥΝΕΔΡΙΟ
Page 9 and 10:
21. Οργανικά τρανζίσ
Page 11 and 12:
15:30 15:45 16:00 16:15 16:30 16:45
Page 13 and 14:
41. Modeling and quantitative phase
Page 15 and 16:
Ανοιχτή Συνεδρία «
Page 17 and 18:
«NανοΥλικά και Νανο
Page 19 and 20:
New materials and MOS device concep
Page 21 and 22:
Reliability Characteristics of Rare
Page 23 and 24: Ο λόγος των ταχυτήτ
Page 25 and 26: Thus the mean R In-In is expected t
Page 27 and 28: FIG 1. Schematic representation of
Page 29 and 30: με 0.80 eV στη διεπιφά
Page 31 and 32: Εντοπισµός Φορέων
Page 33 and 34: Παρασκευή και Xαρακ
Page 35 and 36: Electrical Spin Injection from Fe i
Page 37 and 38: Electrical Spin Injection of Spin-P
Page 39 and 40: References [1] CH Lee, J. Meteer, V
Page 41 and 42: Σχήμα 1: Φωτογραφία
Page 43 and 44: SEM Image Layout Simulation Εικ
Page 45 and 46: Μελέτη Ατελειών Σε
Page 47 and 48: Facet-Stress-Driven Ordering in SiG
Page 49 and 50: νανοκρυσταλλίτης (a
Page 51 and 52: Σχήµα 1. Εικόνες περ
Page 53 and 54: Σχήµα 1. Εικόνες περ
Page 55 and 56: Οι δομές που αναπτύ
Page 57 and 58: Raman Intensity (10 -50 cm 3 ) 1,2
Page 59 and 60: Μελέτη της Επίδρασ
Page 61 and 62: Annealing Induced Dissociation of N
Page 63 and 64: `Εναπόθεση με Παλμι
Page 65 and 66: Μελέτη της Χημείας
Page 67 and 68: Ανάπτυξη Νέων Μεσο
Page 69 and 70: Application of Thermal Quadrupoles
Page 71 and 72: Στοχαστική προσομο
Page 73: Νανοτραχύτητα κατά
Page 77 and 78: Optical Properties of CuIn 1-x Ga x
Page 79 and 80: ανοπτημένο με λέιζ
Page 81 and 82: Στο σχήμα 3 φαίνοντ
Page 83 and 84: Id (mA) -0,3 -0,2 -0,1 Vg=0 Vg=-1 V
Page 85 and 86: Strained-Si Si 1-x Ge x graded Si 1
Page 87 and 88: Fig. 1. Laser mask movement during
Page 89 and 90: forwarded to the back interface dur
Page 91 and 92: Σχήμα 2: Εκθετική εξ
Page 93 and 94: V th (V) G m,max /G m,max0 (%) I d
Page 95 and 96: C/ C ox 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0,0 -4
Page 97 and 98: και Ta 2 O 5 , των οποίω
Page 99 and 100: κατασκευή της. Η πα
Page 101 and 102: ΔP (mW) 12 10 8 6 4 2 0 0 500 1000
Page 103 and 104: υπολογίσουμε θεωρη
Page 105 and 106: Σχήμα 2 Σύστημα ηλε
Page 107 and 108: Μελέτη των Μηχανισ
Page 109 and 110: Ανάπτυξη και Μελέτ
Page 111 and 112: Structure and Magnetic Properties o
Page 113 and 114: Δομή και Μαγνητικέ
Page 115 and 116: Μετρήσεις Ειδικής
Page 117 and 118: Further, almost all of the observed
Page 119 and 120: g-factor 2.019 2.016 2.013 2.010 2.
Page 121 and 122: ρυθμό 4 C.min -1 , έπειτ
Page 123 and 124: ΜΕΛΕΤΗ ΤΟΥ ΦΑΙΝΟΜΕ
Page 125 and 126:
Νέοι Εξαφερίτες Ba µ
Page 127 and 128:
Crystal Structure of a new Supramol
Page 129 and 130:
Magnetic Phase Transition in Synthe
Page 131 and 132:
Συσχέτιση πλαστική
Page 133 and 134:
Μετασχηματισμοί φά
Page 135 and 136:
Μελέτη της Επίδρασ
Page 137 and 138:
Resonant Spin Transfer Torque in Do
Page 139 and 140:
3 η Προφορική Συνεδ
Page 141 and 142:
technology, and e-beam lithography.
Page 143 and 144:
ecause it reduces the calculation o
Page 145 and 146:
Υπολογισμός Υψηλής
Page 147 and 148:
The thermodynamic average is obtain
Page 149 and 150:
ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ Στην
Page 151 and 152:
προερχόµενη είτε α
Page 153 and 154:
Combining Magnetism and Ferroelectr
Page 155 and 156:
υµένια LCMO/STO (100) πολ
Page 157 and 158:
Our scheme is illustrated in Fig. 1
Page 159 and 160:
[6] . Η μελέτη του υλι
Page 161 and 162:
τα πειραµατικά µας
Page 163 and 164:
συµπύκνωµα. Αυτό επ
Page 165 and 166:
και αναδεικνύει τρ
Page 167 and 168:
P P P P P power P copolymers P and
Page 169 and 170:
Αυτο-οργάνωση και Μ
Page 171 and 172:
Viscoelastic Response of Micelles w
Page 173 and 174:
Διηλεκτρική απόκρι
Page 175 and 176:
Light - induced Reversible Hydrophi
Page 177 and 178:
Οι παραπάνω τρεις κ
Page 179 and 180:
AP-PH (a.u.) 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0 0
Page 181 and 182:
Synthesis of Polymer Brushes onto I
Page 183 and 184:
Conformational Properties of Dendri
Page 185 and 186:
Structure and Dynamics of Branched
Page 187 and 188:
∆οµή και ∆υναµική
Page 189 and 190:
Επίδραση της Τοπολ
Page 191 and 192:
(α) (β) Σχήμα 2: (α) Απε
Page 193 and 194:
Figure 3. Generation 4 PAMAM-H 2 O
Page 195 and 196:
Από όλα τα παραπάνω
Page 197 and 198:
Το PHEGMA είναι άμορφο
Page 199 and 200:
PS HAuCl 4 P2VP Ion loading PSP2VP
Page 201 and 202:
The nonlinear optical response of A
Page 203 and 204:
νανοσωµατίδια. Όπω
Page 205 and 206:
Bioactive Glass/Nanodiamonds system
Page 207 and 208:
Energy Loss Rates of Hot Electrons
Page 209 and 210:
Σύνθεση και Χαρακτ
Page 211 and 212:
μπορεί να ερμηνευτ
Page 213 and 214:
Nανοσυνθέτα Εποξει
Page 215 and 216:
[1] S. Iijima, Nature 354, 56 (1991
Page 217 and 218:
Figure 3: GCMC calculations for und
Page 219 and 220:
μερών, εμφανίζοντα
Page 221 and 222:
1.0 Reflectance 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7
Page 223 and 224:
στο συντελεστή διέ
Page 225 and 226:
¿ÔÖØÑÒØÓÐØÖÐÒÒÖÒ¸
Page 227 and 228:
Συναπόθεση Cr - Ni σε
Page 229 and 230:
Investigation of the Structural, Mo
Page 231 and 232:
Modification of Perlite Cementitiou
Page 233 and 234:
Templated Sol-Gel Synthesis Of TiO
Page 235 and 236:
Παρασκευή Υμενίων
Page 237 and 238:
Preparation of YSZ Solid Electrolyt
Page 239 and 240:
Σύνθεση, Ανισοτροπ
Page 241 and 242:
Μελέτη ανθρώπινων
Page 243 and 244:
Local Coordination of Zn and Fe in
Page 245 and 246:
Επίδραση της Προσθ
Page 247 and 248:
Αλκαλική Σύνθεση κ
Page 249 and 250:
Μηχανικές Iδιότητε
Page 251 and 252:
The Influence of Thermal Aging on t
Page 253 and 254:
Modeling and quantitative phase ana
Page 255 and 256:
Συμβολή στη Συντήρ
Page 257 and 258:
Κρυσταλλική Συµπερ
Page 259 and 260:
Σύνθεση Στερεών ∆ι
Page 261 and 262:
Fabrication and Characterization of
Page 263 and 264:
∆ιερεύνηση δυνατό
Page 265 and 266:
Συγκριτική αξιολόγ
Page 267 and 268:
6 η Προφορική Συνεδ
Page 269 and 270:
Ηλεκτρομαγνητική Α
Page 271 and 272:
Φασματοσκοπική Μελ
Page 273 and 274:
Thermal and Electrical Properties o
Page 275 and 276:
Structure, Mechanical, and Optoelec
Page 277 and 278:
Designing Nanoporous Materials for
Page 279 and 280:
This program was developed to serve
Page 281 and 282:
Νέα Αυτό-οργανούμε
Page 283 and 284:
A Physical Model to Interpret the E
Page 285 and 286:
FIR study of Ag x (As 33 S 33 Se 33
Page 287 and 288:
Mελέτη Μεικτών Γυαλ
Page 289 and 290:
The Structural Role of Fe and Zn in
Page 291 and 292:
ΕΥΡΕΤΗΡΙΟ ΣΥΓΓΡΑΦΕ
Page 293 and 294:
Κομπίτσας Μ…………
Page 295 and 296:
ΕΥΡΕΤΗΡΙΟ ΣΥΓΓΡΑΦΕ
Page 297:
W Watson I.M………………4 Weg
show all

xxiii ÏÎ±Î½ÎµÎ»Î»Î·Î½Î¹Î¿ ÏÏ Î½ÎµÎ´ÏÎ¹Î¿ ÏÏ ÏÎ¹ÎºÎ·Ï ÏÏÎµÏÎµÎ±Ï ÎºÎ±ÏÎ±ÏÏÎ±ÏÎ·Ï & ÎµÏÎ¹ÏÏÎ·Î¼Î·Ï ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?

xxiii ÏÎ±Î½ÎµÎ»Î»Î·Î½Î¹Î¿ ÏÏÎ½ÎµÎ´ÏÎ¹Î¿ ÏÏÏÎ¹ÎºÎ·Ï ÏÏÎµÏÎµÎ±Ï ÎºÎ±ÏÎ±ÏÏÎ±ÏÎ·Ï & ÎµÏÎ¹ÏÏÎ·Î¼Î·Ï ...