xxiii Ïανελληνιο ÏÏ Î½ÎµÎ´Ïιο ÏÏ ÏÎ¹ÎºÎ·Ï ÏÏεÏÎµÎ±Ï ÎºÎ±ÏαÏÏαÏÎ·Ï & εÏιÏÏÎ·Î¼Î·Ï ...
xxiii Ïανελληνιο ÏÏ Î½ÎµÎ´Ïιο ÏÏ ÏÎ¹ÎºÎ·Ï ÏÏεÏÎµÎ±Ï ÎºÎ±ÏαÏÏαÏÎ·Ï & εÏιÏÏÎ·Î¼Î·Ï ...
xxiii Ïανελληνιο ÏÏ Î½ÎµÎ´Ïιο ÏÏ ÏÎ¹ÎºÎ·Ï ÏÏεÏÎµÎ±Ï ÎºÎ±ÏαÏÏαÏÎ·Ï & εÏιÏÏÎ·Î¼Î·Ï ...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Id (mA)<br />
-0,3<br />
-0,2<br />
-0,1<br />
Vg=0<br />
Vg=-1<br />
Vg=-2<br />
Vg=-3<br />
Vg=-4<br />
Id (μA)<br />
-1,0<br />
-0,8<br />
-0,6<br />
-0,4<br />
-0,2<br />
Vg=0<br />
Vg=-5<br />
Vg=-7.5<br />
Vg=-10<br />
Vg=-15<br />
Vg=-20<br />
0,0<br />
0,0 -0,1 -0,2 -0,3 -0,4 -0,5 -0,6 -0,7<br />
Vd (V)<br />
0,0<br />
0,2 0,0 -0,2 -0,4 -0,6 -0,8 -1,0<br />
Vd (V)<br />
(α)<br />
(β)<br />
Σχήμα 2. (α) Εξάρτηση του ρεύματος Ι d από την τάση V d ενός OFET με 50 nm φιλμ NiS x PC, αναλογία W/L 23275 και<br />
διηλεκτρικό SiO 2 πάχους 42 nm, αποτεθειμένου με spin-coating και με ανόπτηση στους 50ºC: (α) NiS 1.3 PC με ευκινησία<br />
1.08 cm 2 V -1 s -1 και (β) NiS 3.3 PC με ευκινησία 0.02 cm 2 V -1 s -1 .<br />
Πίνακας 1. Οι τιμές ευκινησίας για διάφορους τύπους φθαλοκυανινών.<br />
Φθαλοκυανίνη Τρόπος παρασκευής του φιλμ Τιμή ευκινησίας (cm 2 V -1 s -1 )<br />
NiPC Εξάχνωση 10 -5<br />
CoPC Εξάχνωση 4 × 10 -4<br />
NiS 1.3 PC Spin-coating 1.08<br />
NiS 3.3 PC Spin-coating 0.02<br />
CuS 3.8 PC Spin-coating 0.02<br />
CoS 1.6 PC Spin-coating 0.2<br />
ZnS 1.5 PC Spin-coating 0.02<br />
AlS 1.5 PC 2 Spin-coating 0.02<br />
Πίνακας 2. Ατομικές αναλογίες των στοιχείων που ανιχνεύονται στην επιφάνεια των φιλμ NiS x PC, CoS x PC και CuS x PC<br />
που προετοιμάζονται με spin-coating. Οι αναμενόμενες ατομικές αναλογίες σύμφωνα με τη χημική δομή των μορίων<br />
φθαλοκυανινών μετάλλων παρουσιάζονται σε παρένθεση (εκτιμώμενη αβεβαιότητα ± 10%).<br />
MeS x PC Metal C1s/Met O1s/Met N1s/Met S2p/Met Na1s/Met<br />
NiS 1.3 PC Ni2p 3/2<br />
42<br />
(32)<br />
NiS 3.3 PC Ni2p 3/2<br />
35<br />
(32)<br />
CoS 1.6 PC Co2p 3/2<br />
42<br />
(32)<br />
CuS 3.8 PC Cu2p 3/2<br />
46<br />
(32)<br />
8<br />
(7.2)<br />
14<br />
(12)<br />
20<br />
(4.5)<br />
13.2<br />
(12)<br />
8<br />
(8)<br />
8.2<br />
(8)<br />
7.7<br />
(8)<br />
8.5<br />
(8)<br />
1.5<br />
(2.4)<br />
3.3<br />
(4)<br />
1.5<br />
(1.5)<br />
4.4<br />
(4)<br />
1.3<br />
(2.4)<br />
3.3<br />
(4)<br />
1.6<br />
(1.5)<br />
3.8<br />
(4)<br />
Συμπεράσματα<br />
Για τη σύγκριση των διατάξεων χρησιμοποιήθηκαν αμφότερες η εξάχνωση και το spin-coating. Οι τιμές της ευκινησίας<br />
πεδίου των διατάξεων OFET που χρησιμοποιούν φιλμ MeS x PC είναι πολύ υψηλότερες από τις τιμές των αντίστοιχων<br />
διατάξεων που χρησιμοποιούν εξαχνωμένες μη-σουλφονικές φθαλοκυανίνες μετάλλων. Μία χαρακτηριστική τιμή λόγου<br />
I ON /I OFF είναι 10 3 . Ένας από τους λόγους για τους οποίους, αντίθετα από τα OFET με MePC, τα OFET των MeS x PC που<br />
προκύπτουν από διάλυμα είναι ανίκανα να παρουσιάσουν μια ικανοποιητική περιοχή κόρου των καμπυλών ρεύματος Ι d –<br />
τάσης V d , είναι ότι οι αγωγιμότητες των οργανικών φιλμ είναι πολύ υψηλές, γεγονός που υποβοηθάται και από τα άτομα Na<br />
που συνεισφέρουν οι υποκαταστάτες (–SO 3 Na) των μορίων. Επίσης εξετάστηκαν ο ρόλος του κεντρικού μετάλλου και των<br />
υποκαταστατών. Διαπιστώθηκε ότι το κεντρικό άτομο μετάλλων είναι σημαντικό, δεδομένου ότι προκαλεί διαφοροποιήσεις<br />
στις μετρούμενες ηλεκτρικές ιδιότητες. Το πλέον υποσχόμενο μόριο είναι το NiS x PC, ακολουθούμενο από το CoS x PC και<br />
τελικά τα Zn-, Al- και CuS x PC, τα οποία παρουσιάζουν την ίδια τιμή ευκινησίας. Αλλά σημαντικότερος είναι ο ρόλος των<br />
υποκαταστατών. Οι διατάξεις που χρησιμοποιούσαν NiS 1.3 PC παρουσίασαν πολύ υψηλότερη τιμή ευκινησίας επίδρασης<br />
πεδίου από το αντίστοιχο NiS 3.3 PC. Σαν γενικό συμπέρασμα, τα τρανζίστορ που βασίζονται σε MeS x PC συνδυάζουν ευκολία<br />
κατασκευής με υψηλή απόδοση, ειδικά σε σύγκριση με τα μη-σουλφονικά αντίστοιχά τους.<br />
Αναφορές<br />
[1] R. Zeis, T.Siegrist and Ch.Kloc, Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 022103<br />
[2] F.Yang, M.Shtein and S.R.Forrest, Nature Materials 4 (2005) 37<br />
[3] G.Wang, I.Zhivkov, J.Sworakowski and K.Yakushi, iMAPS Proceedings, Prague (2004) 169<br />
[4] G.Guillard, R.Madru, M.Al Sadoun, M.Maitrot, J. Appl. Phys. 66 (1989) 4554<br />
65